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台产鸿星晶振,E1SB16E000004E晶振,遥遥领先的6G路由器晶振

规格型号：56088802
频率：16MHz
尺寸：2016
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产品描述：台产鸿星晶振,E1SB16E000004E晶振,遥遥领先的6G路由器晶振,台湾鸿星晶振公司,特点:非常紧凑，非常薄(最大2.0*1.6*0.5mm)，频率范围为16至62.5M，非常适合设计空间有限的智能手机应用，小型化无线模块设备，RFID应用和...

台产鸿星晶振,E1SB16E000004E晶振,遥遥领先的6G路由器晶振,台湾鸿星晶振公司,特点:非常紧凑，非常薄(最大2.0 *1.6*0.5mm)，频率范围为16至62.5M，非常适合设计空间有限的智能手机应用，小型化无线模块设备，RFID应用和其他消费类产品。满足使用无铅焊料的回流剖面要求。无源晶振，贴片晶振，小尺寸晶振，2016晶振，环保无铅晶振，高精度晶振，无人机高清摄像模块晶振，北斗卫星定位模块晶振。

台产鸿星晶振,E1SB16E000004E晶振,遥遥领先的6G路由器晶振

项目	标志	E1SB
频率范围	F0	16 to 18.999MHz	19 to 24.999MHz	25 to 29.999MHz	30 to 62.500MHz
工作模式		Fundamental
负载电容	CL	8 to 16pF
频率容差	ΔF/ F0	±10ppm, ±15ppm, ±30ppm(At 25℃)
等效串联电阻	ESR	200Ω max.	100Ω max.	80Ω max.	60Ω max.
温度稳定度	TC	±10ppm, ±15ppm, ±30ppm(Refer to 25℃)
工作温度范围	TOPR	-20~+70℃,-30~+85℃ Option
储存温度范围	TSTG	-55~+125℃
分流电容	C0	3pF max.
绝缘电阻	IR	500MΩ min. (At 100VDC)
驱动电平	DL	50μW(100μW max.)
老化	Fa	±2ppm max. (At 25℃,First year)
包装单位		3000pcs/reel

台产鸿星晶振,E1SB16E000004E晶振,遥遥领先的6G路由器晶振

鸿星原厂编码	生产商品牌	型号	频率	频率稳定度	频率容差	负载电荷	工作温度
E1SB24E00001EE	Hosonic晶振	E1SB	24 MHz	±30ppm	±30ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
E1SB26E007902E	Hosonic晶振	E1SB	26 MHz	±15ppm	±10ppm	9pF	-40°C ~ 85°C
E1SB60E003701E	Hosonic晶振	E1SB	60 MHz	±20ppm	±10ppm	9pF	-30°C ~ 105°C
E1SB55E0X0002E	Hosonic晶振	E1SB	55.2 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E1SB24E000007E	Hosonic晶振	E1SB	24 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E1SB25E000009E	Hosonic晶振	E1SB	25 MHz	±30ppm	±30ppm	6pF	-30°C ~ 85°C
E1SB24E004000E	Hosonic晶振	E1SB	24 MHz	±10ppm	±10ppm	18pF	-30°C ~ 85°C
E1SB38E0X0001E	Hosonic晶振	E1SB	38.4 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E1SB39E000000E	Hosonic晶振	E1SB	39 MHz	±13ppm	±8ppm	10pF	-40°C ~ 90°C
E1SB40E00090AECBB8	Hosonic晶振	E1SB	40 MHz	±20ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 105°C
E1SB48E000506E	Hosonic晶振	E1SB	48 MHz	±16ppm	±8ppm	11.1pF	-40°C ~ 105°C
E1SB25E001000E	Hosonic晶振	E1SB	25 MHz	±30ppm	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
E1SB32E007900E	Hosonic晶振	E1SB	32 MHz	±15ppm	±10ppm	10pF	-40°C ~ 85°C
E1SB32E001502E	Hosonic晶振	E1SB	32 MHz	±20ppm	±10ppm	12pF	-40°C ~ 105°C
E1SB37E0X0002E	Hosonic晶振	E1SB	37.4 MHz	±10ppm	±10ppm	16pF	-30°C ~ 85°C
E1SB32E001501ECBB8	Hosonic晶振	E1SB	32 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-20°C ~ 70°C
E1SB16E000004E	Hosonic晶振	E1SB	16 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-20°C ~ 70°C
E1SB40E001202E	Hosonic晶振	E1SB	40 MHz	±17ppm	±10ppm	8pF	-40°C ~ 105°C
E1SB16E000005E	Hosonic晶振	E1SB	16 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-20°C ~ 70°C
E1SB16E000008E	Hosonic晶振	E1SB	16 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-20°C ~ 70°C
E1SB24E00000EE	Hosonic晶振	E1SB	24 MHz	±20ppm	±30ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
E1SB24E00000PE	Hosonic晶振	E1SB	24 MHz	±30ppm	±30ppm	16pF	-20°C ~ 70°C
E1SB24E000009E	Hosonic晶振	E1SB	24 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-20°C ~ 70°C
E1SB24E000011E	Hosonic晶振	E1SB	24 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-30°C ~ 85°C
E1SB24E000012E	Hosonic晶振	E1SB	24 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-30°C ~ 85°C
E1SB24E000901E	Hosonic晶振	E1SB	24 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E1SB25E00000NE	Hosonic晶振	E1SB	25 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-20°C ~ 70°C
E1SB26E000006E	Hosonic晶振	E1SB	26 MHz	±10ppm	±10ppm	16pF	-30°C ~ 85°C
E1SB27E00000FE	Hosonic晶振	E1SB	27 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-20°C ~ 70°C
E1SB32E00000AE	Hosonic晶振	E1SB	32 MHz	±10ppm	±15ppm	10pF	-40°C ~ 85°C
E1SB32E000016E	Hosonic晶振	E1SB	32 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-30°C ~ 85°C
E1SB37E0X0009E	Hosonic晶振	E1SB	37.4 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E1SB38E0X000EE	Hosonic晶振	E1SB	38.4 MHz	±8ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E1SB38E0X0001E	Hosonic晶振	E1SB	38.4 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E1SB40E000000E	Hosonic晶振	E1SB	40 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-30°C ~ 85°C
E1SB40E00000AE	Hosonic晶振	E1SB	40 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
E1SB40E00000CE	Hosonic晶振	E1SB	40 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-20°C ~ 85°C
E1SB40E00001AE	Hosonic晶振	E1SB	40 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-30°C ~ 85°C
E1SB48E000006E	Hosonic晶振	E1SB	48 MHz	±8ppm	±10ppm	7pF	-30°C ~ 85°C
E1SB48E000008E	Hosonic晶振	E1SB	48 MHz	±8ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
E1SB50E000000E	Hosonic晶振	E1SB	50 MHz	±10ppm	±15ppm	7pF	-30°C ~ 85°C
E1SB50E00000DE	Hosonic晶振	E1SB	50 MHz	±10ppm	±10ppm	15pF	-30°C ~ 85°C

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