晶振系列
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陶瓷雾化片 wuhuapian -
陶瓷晶振 taocijingzhen -
32.768K Clock crystal -
贴片晶振 SMDcrystal -
石英晶振 Quartz Crystal -
声表面滤波器 Quartz Crystal -
声表面谐振器 resonator -
陶瓷滤波器 taocilvboqi -
KDS晶振 KDS CRYSTAL -
精工晶振 SEIKO CRYSTAL -
村田晶振 muRata CRYSTAL -
西铁城晶振 CITIZEN CRYSTAL -
爱普生晶振 EPSON CRYSTAL -
微孔雾化片 微孔雾化片 -
台湾加高晶体 H.ELE -
进口京瓷晶体 KYOCERA -
日本NDK晶体 进口NDK晶体 -
日本大河晶体 RIVER -
美国CTS晶体 CTS石英晶体 -
台湾希华晶体 台湾希华 -
台湾鸿星晶体 HOSONIC -
台湾TXC晶体 TXC CRYSTAL -
台湾泰艺晶体 TAITIEN CRYSTAL -
台湾亚陶晶体 百利通亚陶 -
台湾NSK晶体 NSK CRYSTAL -
玛居礼晶振 台湾玛居礼晶振 -
富士晶振 日本富士贴片晶振 -
SHINSUNG晶振 韩国进口SHINSUNG晶振 -
SMI晶振 日本SMI贴片晶振 -
Lihom晶振 韩国Lihom晶振 -
NAKA晶振 日本纳卡株式会社晶振 -
AKER晶振 台湾安碁贴片晶振 -
NKG晶振 NKG石英晶振 -
NJR晶振 日本NJR晶振 -
Sunny晶振 Sunny CRYSTAL -
Statek晶振 Statek贴片晶体 -
Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL -
Jauch晶振 Jauch Crystal -
日蚀晶振 Ecliptek Crystal -
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格林雷晶振 Greenray恒温晶振 -
高利奇晶振 Golledge石英晶体振荡器 -
维管晶振 Vectron Crystal -
拉隆晶振 Raltron CRYSTAL -
瑞康晶振 Rakon石英晶体 -
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Abracon晶振 Abracon 石英振荡器 -
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SiTime晶振 SiTime可编码振荡器 -
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MMDCOMP晶振 MMDCOMP贴片晶振 -
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QANTEK晶振 QANTEK石英晶振 -
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Transko晶振 Transko crystal -
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ARGO晶振 ARGO晶振公司是专业提供和设计波段频率控制设备和微波无线通信零部件.我们还分销日本,欧洲和美国的一些知名品牌零部件.我们致力于发展与计算机,IT和无线通信公司无任何界限的信息时代.我们秉承经营者的踏实,诚恳的态度,互惠互利的精神,实现共赢的目标,以诚信为本,诚信为本,公平交易为宗旨,以诚信,勤勉,诚信,精神质量第一,客户满意的经营理念,将以优良的产品质量,优惠的价格,优质的服务与您建立长期稳定的合作关系,共创辉煌事业. -
SKYWORKS晶振 -
Renesas瑞萨晶振 -
贴片石英晶振 SMD CRYSTAL -
贴片陶瓷晶振 SMD 陶振 -
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石英晶体振荡器 OSC石英晶体振荡器 -
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压控温补晶振 VC-TCXO CRYSTAL -
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差分晶振 差分石英晶体振荡器 -
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- 规格型号:52245864
- 频率:32.768KHZ
- 尺寸:7.1x5.1x1.5mm详情请参考PDF资料
- 产品描述:32.768K有源晶振,SG-3030JF,爱普生振荡器,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SC...
32.768K有源晶振,SG-3030JF,爱普生振荡器
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32.768K有源晶振,SG-3030JF,爱普生振荡器,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
| 项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | |
|---|---|---|---|---|
| SG-3030LC/JF/JC | SG-3040LC/JC | |||
| 输出频率范围 | f0 | 32.768kHz | ||
| 电源电压 | Vcc | 1.5V to 5.5V | 0.9V to 3.6V | |
| 接口电源电压 | Vio | 1.5V to 5.5V | 0.9V to 3.6V | |
| 储存温度 | T_stg | -55°C to +125°C | 裸存 | |
| 工作温度 | T_use | -40°C to +85°C | ||
| 频率稳定度 | f_tol | 5±23×10-6 |
+25 °C,Vcc=3.3V (SG-3040:Vcc=1.2V) |
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| 频率温度特征 | fo-Tc | +10×10-6 /-120×10-6 |
-20°C to +70° C (+25°C 为基准温度) |
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| 频率电压特征 | fo-Vcc | 2×10-8/V Max | 5×10-8/V Max | +25°C |
| 功耗 | lcc | 2μA Max. | 3.1μA Max. | 3.3V,无负载条件 |
| 占空比 | SYM | 45% to 55% |
1/2 Vcc(Vio) 级别(SG-3040:Vio1.2V to3.6V) |
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| 输出电压 | VoH | Vio-0.4V Min. | loH=0.4mA (SG-3040:Vio1.2V to 3.6V | |
| VOL | 0.4V Max | lol=0.4mA (SG-3040:Vio1.2V to 3.6V | ||
| 输出负载条件(CMOS) | L_CMOS | 15pF Max. | CMOS 负载 | |
| 上升/下降时间 | tr/tf | 200ns Max. | 100ns Max. |
CMOS 负载:20% Vcc(Vio)to 80% Vcc(Vio)极, (SG-3040:Vio=1.2V to 3.6V) |
| 振荡启动时间 | t_str | 1s Max. | 3s Max. |
电源电压最低时,所需时间为0秒 +25 °C(SG-3030:Vcc=2.0Vto5.0V) |
| 频率老化 | f_aging | ±5 ×10-6 / 年 Max |
+25°C,第一年 Vcc=3.3V |
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晶振是一种易碎元器件,1,对于晶振的保存方式,首先要考虑其周围的潮湿度,做好防挤压措施,放在干燥通风的地方,使其晶体避免受潮导致其他电气参数发生变化.2,其次对于易碎的晶振器件要做好防震措施,不宜放在较高的货架上,在使用的过程,也不宜使晶振跌落,一般来说,从高空跌落的晶振不应再次使用.3,在晶振焊锡过程中,其焊锡的温度不宜过高,焊锡时间也不宜过长,防止晶体因此发生内变,而产生不稳定.4,晶振外壳需要接地时,应该确保外壳和引脚不被意外连通而导致短路.从而导致晶体不起振,5,保证两条引脚的焊锡点不相连,否则也会导致晶体停振,6,对于需要剪脚的晶振,应该注意机械应力的影响。7,焊锡之后,要进行清洗,以免绝缘电阻不符合要求





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