晶振系列
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陶瓷雾化片 wuhuapian -
陶瓷晶振 taocijingzhen -
32.768K Clock crystal -
贴片晶振 SMDcrystal -
石英晶振 Quartz Crystal -
声表面滤波器 Quartz Crystal -
声表面谐振器 resonator -
陶瓷滤波器 taocilvboqi -
KDS晶振 KDS CRYSTAL -
精工晶振 SEIKO CRYSTAL -
村田晶振 muRata CRYSTAL -
西铁城晶振 CITIZEN CRYSTAL -
爱普生晶振 EPSON CRYSTAL -
微孔雾化片 微孔雾化片 -
台湾加高晶体 H.ELE -
进口京瓷晶体 KYOCERA -
日本NDK晶体 进口NDK晶体 -
日本大河晶体 RIVER -
美国CTS晶体 CTS石英晶体 -
台湾希华晶体 台湾希华 -
台湾鸿星晶体 HOSONIC -
台湾TXC晶体 TXC CRYSTAL -
台湾泰艺晶体 TAITIEN CRYSTAL -
台湾亚陶晶体 百利通亚陶 -
台湾NSK晶体 NSK CRYSTAL -
玛居礼晶振 台湾玛居礼晶振 -
富士晶振 日本富士贴片晶振 -
SHINSUNG晶振 韩国进口SHINSUNG晶振 -
SMI晶振 日本SMI贴片晶振 -
Lihom晶振 韩国Lihom晶振 -
NAKA晶振 日本纳卡株式会社晶振 -
AKER晶振 台湾安碁贴片晶振 -
NKG晶振 NKG石英晶振 -
NJR晶振 日本NJR晶振 -
Sunny晶振 Sunny CRYSTAL -
Statek晶振 Statek贴片晶体 -
Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL -
Jauch晶振 Jauch Crystal -
日蚀晶振 Ecliptek Crystal -
IDT晶振 IDT进口晶振 -
格林雷晶振 Greenray恒温晶振 -
高利奇晶振 Golledge石英晶体振荡器 -
维管晶振 Vectron Crystal -
拉隆晶振 Raltron CRYSTAL -
瑞康晶振 Rakon石英晶体 -
康纳温菲尔德晶振 ConnorWinfield Crystal -
ECS晶振 ECS CRYSTAL -
Abracon晶振 Abracon 石英振荡器 -
CTS晶振 西迪斯晶振 -
SiTime晶振 SiTime可编码振荡器 -
微晶晶振 Microcrystal Crystal -
AEK晶振 AEK CRYSTAL -
AEL晶振 AEL CRYSTAL -
Cardinal晶振 Cardinal贴片晶体 -
Crystek晶振 Crystek石英晶振 -
Fox晶振 Fox有源晶振 -
Frequency晶振 Frequency Crystal -
GEYER晶振 GEYER CRYSTAL -
KVG晶振 KVG石英晶体 -
ILSI晶振 ILSI CRYSTAL -
Euroquartz晶振 Euroquartz crystal -
MMDCOMP晶振 MMDCOMP贴片晶振 -
MtronPTI晶振 MtronPTI晶体谐振器 -
QANTEK晶振 QANTEK石英晶振 -
QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶体 -
Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal -
Suntsu晶振 Suntsu石英贴片晶振 -
Transko晶振 Transko crystal -
Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal -
Rubyquartz晶振 进口Rubyquartz CRYSTAL -
ACT晶振 ACT石英晶振 -
Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL -
ITTI晶振 ITTI石英晶体谐振器 -
MTI-milliren晶振 MTI Crystal -
PDI晶振 PDI CRYSTAL -
IQD晶振 IQD CRYSTAL -
Microchip晶振 Microchip crystal -
Silicon晶振 Silicon Crystal -
安德森晶振 Anderson Crystal -
富通晶振 Fortiming Crystal -
CORE晶振 CORE CRYSTAL -
NIPPON晶振 NIPPON石英晶体振荡器 -
NIC晶振 NIC Crystal -
QVS晶振 QVS CRYSTAL -
Bomar晶振 Bomar Crystal -
Bliley晶振 Bliley Crystal -
GED晶振 GED CRYSTAL -
FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL -
Standard晶振 Standard Crystal -
Q-Tech晶振 美国Q-Tech晶振 -
Wenzel晶振 Wenzel Crystal -
NEL晶振 美国NEL晶振 -
EM晶振 EM CRYSTAL -
PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL -
FCD-Tech晶振 荷兰晶振FCD-Tech -
HEC晶振 HEC CRYSTAL -
FMI晶振 FMI CRYSTAL -
麦克罗比特晶振 Macrobizes Crystal -
AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL -
ARGO晶振 ARGO晶振公司是专业提供和设计波段频率控制设备和微波无线通信零部件.我们还分销日本,欧洲和美国的一些知名品牌零部件.我们致力于发展与计算机,IT和无线通信公司无任何界限的信息时代.我们秉承经营者的踏实,诚恳的态度,互惠互利的精神,实现共赢的目标,以诚信为本,诚信为本,公平交易为宗旨,以诚信,勤勉,诚信,精神质量第一,客户满意的经营理念,将以优良的产品质量,优惠的价格,优质的服务与您建立长期稳定的合作关系,共创辉煌事业.
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞萨晶振
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贴片石英晶振 SMD CRYSTAL -
贴片陶瓷晶振 SMD 陶振 -
有源晶振 Oscillator -
石英晶体振荡器 OSC石英晶体振荡器
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压控晶振 VCXO进口晶振
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压控温补晶振 VC-TCXO CRYSTAL
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恒温晶振 OCXO有源晶振
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差分晶振 差分石英晶体振荡器
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数码产品
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医疗产品
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汽车产品
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移动产品
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智能家居
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网络设备
- 规格型号：40820701
- 频率：8.000MHZ-60.000MHZ
- 尺寸：5.0*3.2*1.5
- 产品描述：广泛应用在多用途榨汁机,多功能食品加工机,气体压缩式电冰箱,四门电冰箱,家庭中央空调等家用电器.
大河晶振,FCX-03晶振,5032晶振,RIVER晶体
大河晶振,FCX-03晶振,5032晶振,RIVER晶体
参数:频率范围8.000MHZ-60.000MHZ
激励电平: 50μW (Max. 500μW )
负载电容: 8PF,10PF
工作温度: -40℃~+85℃
保存温度: -40℃~+85℃
精度 +/-15ppm,+/-20ppm,+/-30ppm,+/-50ppm
捆包单位：3000pcs/捆
尺寸：薄型重量轻5.0*3.2*1.5mm
应用：AV设备,多功能车载系统，儿童多用途智能玩具，智能手环，多功能遥控器等产品。.jpg)
公司以提高用户满意度为目标，不断推进集团整体业务的发展。让用户满意，就是让使用装有本公司产品的手机、数码相机等电子设备的广大用户满意。我们深知这一点，因而更加努力向目标迈进。由于小型水晶晶振在信息通信中是必不可少的部件，因此上述理念已深深植入于本公司每个员工的心中。
小型元器件找RIVER”的用户评价和信赖，是RIVER ELETEC保持行业领先地位的动力， 难度越高，就越发使他人难以企及，这正是领跑者引以为豪的地方，在石英晶振的小型化方面，公司是一直处于领先地位的优秀企业。
大河晶振,FCX-03晶振,5032晶振,RIVER晶体，出自日本晶振企业大河株式会社在中国西安设立的附属公司，采用天然无铅树脂材料，符合欧盟ROHS的Pb Free规定标准，响应全球环保号召，因此受到国际电子市场的广泛使用，加上FCX-03晶振的体积只有5.0*3.2*1.5mm大小，能为产品减少许多空间，实现时尚小型化的产品理念。
| 大河晶振型号 | FCX-03晶振,石英水晶振子 |
| 频率范围 | 8.000MHZ~60.000MHZ |
| 频率公差(25℃) | ±15 ppm的，可指定 |
| 频率稳定度超过工作温度范围 | ±50 ppm的，可指定 |
| 操作温度范围 | -40-+ 85℃，可指定 |
| 并联电容CO | 5pF Max. |
| 驱动电平 | 1-500μW（μW500典型） |
| 负载电容 | 8pF,10pF,可指定 |
| 老化（25℃） | ±3 ppm /年最大。 |
| 存储温度范围 | -40-+85℃ |
抗冲击
晶体产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果SMD晶振已受过冲击请勿使用。
辐射
暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害，因此应避免照射。
化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致产品所用的封装材料，终端，组件，玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 （比如，氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”，从而破坏密封质量，降低性能。）
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用石英晶体谐振器。即使少量的卤素气体，比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内，都可能产生腐蚀。同时，请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
静电
过高的静电可能会损坏产品，请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候，请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路，并进行接地操作。
1. 驱动能力
驱动能力说明谐振晶体单元所需电功率，其计算公式如下：
驱动能力 (P) = i2.Re
其中i表示经过晶体单元的电流，
Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
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2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加无源晶振振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。
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3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。
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频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考
深 圳 市 金 洛 电 子 有 限 公 司代理:EPSON,KDS,SEIKO,CITIZEN
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