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- 规格型号：17389787
- 频率：26MHz
- 尺寸：2016mm
- 产品描述：X2C026000BC1H-Z晶振,台湾加高无源晶振,智能泊车系统晶振，特点:超小型尺寸。特点:超小型贴片型晶体器件。精度高，可靠性好，耐热性好。适用于设计空间有限的智能手机应用程序、初始化无线模块设备、RFID应用程序和其...
X2C026000BC1H-Z晶振,台湾加高无源晶振,智能泊车系统晶振
X2C026000BC1H-Z晶振,台湾加高无源晶振,智能泊车系统晶振，特点:超小型尺寸。特点:超小型贴片型晶体器件。精度高，可靠性好，耐热性好。适用于设计空间有限的智能手机应用程序、初始化无线模块设备、RFID应用程序和其他基于消费者的产品.
X2C026000BC1H-Z晶振,台湾加高无源晶振,智能泊车系统晶振
| 项目 | HSX211S |
| 频率范围 | 16~30MHz |
| 工作模式 | Fundamental |
| 频率容差 | ±7ppm ~ ±50ppm (at. 25℃) , or Specify |
| 温度范围内的频率稳定度 | ±10ppm, or Specify |
| 工作温度 | -10 ~ +60 ℃, or Specify |
| 负载电容 | Series, 8pF, 10pF, 12pF, or Specify |
| 驱动电平 | 10μW (100μW Max.) |
| 等效串联电子 | 100Max. |
| 储存温度范围 | -40 ~ +125℃ |
X2C026000BC1H-Z晶振,台湾加高无源晶振,智能泊车系统晶振
| 原厂编码 | 生产商 | 型号 | 频率 | 频率容差 | 负载电容 |
| X2C025000DZ1H-U | 加高晶振 | HSX211S | 25 MHz | ±20ppm | 6pF |
| X2C032000BA1H-HZ | 加高晶振 | HSX211S | 32 MHz | ±10ppm | 10pF |
| X2C024000DZ1H-HU | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±20ppm | 6pF |
| X2C016000B81H-R | 加高晶振 | HSX211S | 16 MHz | ±10ppm | 8pF |
| X2C026000BC1H-Z | 加高晶振 | HSX211S | 26 MHz | ±10ppm | 12pF |
| X2C048000L71HH-CEHZ | 加高晶振 | HSX211S | 48 MHz | ±8ppm | 11.1pF |
| X2C016000B81H-HPU | 加高晶振 | HSX211S | 16 MHz | ±20ppm | 8pF |
| X2C016000B91H-R_C254270 | 加高晶振 | HSX211S | 16 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C024000B91H-HZ | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C024000BA1H | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±30ppm | 10pF |
| X2C024000FA1H-X | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±30ppm | 10pF |
| X2C024000B71H-V | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±30ppm | 12.5pF |
| X2C026000B91H-V | 加高晶振 | HSX211S | 26 MHz | ±15ppm | 9pF |
| X2C027120FA1H-HV | 加高晶振 | HSX211S | 27.12 MHz | ±30ppm | 10pF |
| X2C032000B81H-HS | 加高晶振 | HSX211S | 32 MHz | ±15ppm | 8pF |
| X2C032000BA1HA-U | 加高晶振 | HSX211S | 32 MHz | ±20ppm | 10pF |
| X2C032000BC1H-R | 加高晶振 | HSX211S | 32 MHz | ±10ppm | 12pF |
| X2C037400BG1H-U | 加高晶振 | HSX211S | 37.4 MHz | ±10ppm | 16pF |
| X2C038400BA1H-HZ | 加高晶振 | HSX211S | 38.4 MHz | ±10ppm | 10pF |
| X2C040000B91HA-Z | 加高晶振 | HSX211S | 40 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C048000L71H-CEHZ | 加高晶振 | HSX211S | 48 MHz | ±12ppm | 7.8pF |
| X2C048000BA1H-HZ | 加高晶振 | HSX211S | 48 MHz | ±10ppm | 10pF |
| X2C016000B91H-R | 加高晶振 | HSX211S | 16 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C016000BC1H-Z | 加高晶振 | HSX211S | 16 MHz | ±20ppm | 12pF |
| X2C024000B71H-V | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±30ppm | 12.5pF |
| X2C024000B91H-HZ | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C024000BA1H | 加高晶振 | HSX211S | 24 MHz | ±30ppm | 10pF |
| X2C032000BA1HA-U | 加高晶振 | HSX211S | 32 MHz | ±20ppm | 10pF |
| X2C037400BG1H-U | 加高晶振 | HSX211S | 37.4 MHz | ±10ppm | 16pF |
| X2C040000B91HA-Z | 加高晶振 | HSX211S | 40 MHz | ±10ppm | 9pF |
| X2C048000L71H-CEHZ | 加高晶振 | HSX211S | 48 MHz | ±12ppm | 7.8pF |
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