晶振系列
- 陶瓷雾化片 wuhuapian
- 陶瓷晶振 taocijingzhen
- 32.768K Clock crystal
- 贴片晶振 SMDcrystal
- 石英晶振 Quartz Crystal
- 声表面滤波器 Quartz Crystal
- 声表面谐振器 resonator
- 陶瓷滤波器 taocilvboqi
- KDS晶振 KDS CRYSTAL
- 精工晶振 SEIKO CRYSTAL
- 村田晶振 muRata CRYSTAL
- 西铁城晶振 CITIZEN CRYSTAL
- 爱普生晶振 EPSON CRYSTAL
- 微孔雾化片 微孔雾化片
- 台湾加高晶体 H.ELE
- 进口京瓷晶体 KYOCERA
- 日本NDK晶体 进口NDK晶体
- 日本大河晶体 RIVER
- 美国CTS晶体 CTS石英晶体
- 台湾希华晶体 台湾希华
- 台湾鸿星晶体 HOSONIC
- 台湾TXC晶体 TXC CRYSTAL
- 台湾泰艺晶体 TAITIEN CRYSTAL
- 台湾亚陶晶体 百利通亚陶
- 台湾NSK晶体 NSK CRYSTAL
- 玛居礼晶振 台湾玛居礼晶振
- 富士晶振 日本富士贴片晶振
- SHINSUNG晶振 韩国进口SHINSUNG晶振
- SMI晶振 日本SMI贴片晶振
- Lihom晶振 韩国Lihom晶振
- NAKA晶振 日本纳卡株式会社晶振
- AKER晶振 台湾安碁贴片晶振
- NKG晶振 NKG石英晶振
- NJR晶振 日本NJR晶振
- Sunny晶振 Sunny CRYSTAL
- Statek晶振 Statek贴片晶体
- Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL
- Jauch晶振 Jauch Crystal
- 日蚀晶振 Ecliptek Crystal
- IDT晶振 IDT进口晶振
- 格林雷晶振 Greenray恒温晶振
- 高利奇晶振 Golledge石英晶体振荡器
- 维管晶振 Vectron Crystal
- 拉隆晶振 Raltron CRYSTAL
- 瑞康晶振 Rakon石英晶体
- 康纳温菲尔德晶振 ConnorWinfield Crystal
- ECS晶振 ECS CRYSTAL
- Abracon晶振 Abracon 石英振荡器
- CTS晶振 西迪斯晶振
- SiTime晶振 SiTime可编码振荡器
- 微晶晶振 Microcrystal Crystal
- AEK晶振 AEK CRYSTAL
- AEL晶振 AEL CRYSTAL
- Cardinal晶振 Cardinal贴片晶体
- Crystek晶振 Crystek石英晶振
- Fox晶振 Fox有源晶振
- Frequency晶振 Frequency Crystal
- GEYER晶振 GEYER CRYSTAL
- KVG晶振 KVG石英晶体
- ILSI晶振 ILSI CRYSTAL
- Euroquartz晶振 Euroquartz crystal
- MMDCOMP晶振 MMDCOMP贴片晶振
- MtronPTI晶振 MtronPTI晶体谐振器
- QANTEK晶振 QANTEK石英晶振
- QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶体
- Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal
- Suntsu晶振 Suntsu石英贴片晶振
- Transko晶振 Transko crystal
- Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal
- Rubyquartz晶振 进口Rubyquartz CRYSTAL
- ACT晶振 ACT石英晶振
- Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL
- ITTI晶振 ITTI石英晶体谐振器
- MTI-milliren晶振 MTI Crystal
- PDI晶振 PDI CRYSTAL
- IQD晶振 IQD CRYSTAL
- Microchip晶振 Microchip crystal
- Silicon晶振 Silicon Crystal
- 安德森晶振 Anderson Crystal
- 富通晶振 Fortiming Crystal
- CORE晶振 CORE CRYSTAL
- NIPPON晶振 NIPPON石英晶体振荡器
- NIC晶振 NIC Crystal
- QVS晶振 QVS CRYSTAL
- Bomar晶振 Bomar Crystal
- Bliley晶振 Bliley Crystal
- GED晶振 GED CRYSTAL
- FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL
- Standard晶振 Standard Crystal
- Q-Tech晶振 美国Q-Tech晶振
- Wenzel晶振 Wenzel Crystal
- NEL晶振 美国NEL晶振
- EM晶振 EM CRYSTAL
- PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL
- FCD-Tech晶振 荷兰晶振FCD-Tech
- HEC晶振 HEC CRYSTAL
- FMI晶振 FMI CRYSTAL
- 麦克罗比特晶振 Macrobizes Crystal
- AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL
- ARGO晶振 ARGO晶振公司是专业提供和设计波段频率控制设备和微波无线通信零部件.我们还分销日本,欧洲和美国的一些知名品牌零部件.我们致力于发展与计算机,IT和无线通信公司无任何界限的信息时代.我们秉承经营者的踏实,诚恳的态度,互惠互利的精神,实现共赢的目标,以诚信为本,诚信为本,公平交易为宗旨,以诚信,勤勉,诚信,精神质量第一,客户满意的经营理念,将以优良的产品质量,优惠的价格,优质的服务与您建立长期稳定的合作关系,共创辉煌事业.
- SKYWORKS晶振
- Renesas瑞萨晶振
- 贴片石英晶振 SMD CRYSTAL
- 贴片陶瓷晶振 SMD 陶振
- 有源晶振 Oscillator
- 石英晶体振荡器 OSC石英晶体振荡器
- 压控晶振 VCXO进口晶振
- 压控温补晶振 VC-TCXO CRYSTAL
- 恒温晶振 OCXO有源晶振
- 差分晶振 差分石英晶体振荡器
- 数码产品
- 医疗产品
- 汽车产品
- 移动产品
- 智能家居
- 网络设备
- 规格型号:27461212
- 频率:32.768KHZ
- 尺寸:3.2*1.5mm
- 产品描述:SMI晶振,31SMX晶振,3215晶振参数:频率标准32.768KHZ激励功率:0.5Max.负载电容:12.5pF:31M327(Standard)9.0pF:31M327-97.0pF:31M327-76.0pF:31M327-6工作温度:-40゜C~+85゜C(Standard)-40゜C~+105゜C(W=Option)-40゜C~...
SMI晶振,31SMX晶振,3215晶振
参数:频率标准 32.768KHZ
激励功率: 0.5 Max.
负载电容: 12.5 pF : 31M327 (Standard)
9.0 pF : 31M327-9
7.0 pF : 31M327-7
6.0 pF : 31M327-6
工作温度: -40゜C~ +85゜C (Standard)
-40゜C~ +105゜C (W = Option)
-40゜C~ +125゜C (WW = Option)
保存温度: -55゜C to +125゜C
精度 ±5ppm,±10ppm,±15ppm,±20ppm,±30ppm
捆包单位:3000pcs/盘
尺寸:极轻薄型3.2*1.5*0.8
应用:移动互联网通信设备,车载遥控器,智能手表,办公多用自动化设备,智能家电,随身迷你型移动电源等产品。
SMI晶振是日本一家生产制造规模比较大一家电子元件工厂,长期采购SMI石英晶体的企业有上千家,日本SMI晶振在国际市场上的份额占有率真不算高,SMI晶振公司自成立以来便专注研发生产高品质,高精度的晶振产品,专业向市场供应大量石英晶振,TCXO温补晶振,VCXO压控晶振等元件,凭借着注重质量与服务,赢得广大用户的喜爱,SMI晶振如今在业界已是小有名气的企业.SMI晶振,31SMX晶振,3215晶振.
SMI晶振,31SMX晶振,3215晶振,无源晶振是属于日本SMI晶振公司的两脚金属表面3215mm封装的千赫晶体,同时也是一款超级轻薄小型的石英晶体谐振器,贴片型的合理设计,能承受住+125℃的高温和-40℃的低温,拥有比陶瓷表面晶振更好的抗摔性,符合欧盟的ROHS规定,31SMX晶振适用多样化的智能家居电子数码等领域,可发挥性优良的耐冲击性能。
SMI晶振型号 | 31SMX |
频率标准 | 32.768K |
频率公差(25℃) | ±5ppm,±10ppm,±15ppm,±20ppm,±30ppm可指定 |
操作温度范围 |
-40゜C ~ +85゜C (Standard)
-40゜C ~+105゜C (W = Option)
-40゜C ~+125゜C (WW = Option)
|
激励功率 | 0.5 Max. |
驱动电平 | 0.1 μW (0.5 μW max.) |
负载电容 |
12.5 pF : 31M327 (Standard)
9.0 pF : 31M327-9
7.0 pF : 31M327-7
6.0 pF : 31M327-6
|
老化(25℃) | ±3 ppm /年最大。 |
存储温度范围 | -55~+125℃ |
激励功率
在石英晶体单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致贴片晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用SMD晶振产品。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
输出波形与测试电路
1.时序表
2. 测试条件
(1) 电源电压
超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。
电源电压阻抗低于电阻 2Ω。
(2) 其他
输入电容低于 15 pF
5倍频率范围或更多测量频率。
铅探头应尽可能短。
测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。
(3) 其他
CL包含探头电容。
应使用带有小的内部阻抗的电表。
使用微型插槽,以观察波形。
(请勿使用该探头的长接地线。)
3. 测试电路
TFK-02S:在频率电压控制功能时,进行连接
(1)CMOS 负载 型号: TFK-02S |
(2) 抗低,电容负载 型号: TFK-02S |
(3) TTL 负载 型号: TFK-02S |
(4) LV-PECL 负载 型号: TFK-02S |
(5)LV-PECL 负载 型号: TFK-02S |
(6) LV-PECL 负载 型号: TFK-02S |
(7) LVDS 负载 型号: TFK-02S |
(8) HCSL 负载 型号: TFK-02S |
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