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Cardinal晶振常见问题CX5Z-A2B2C5-40-10.0D18

来源:http://www.jinluodz.com 作者:金洛鑫电子 2024年03月15

Cardinal晶振常见问题

1,需要5.0V时钟-使用3.3V CMOS时钟:
5V CMOS时钟振荡器的可用性正在下降。这是一种使用现成的3.3V时钟振荡器的解决方案。
Cardinal石英晶振CC065L和CC137系列3.3V振荡器可以与本电路配合使用,以满足5.0V时钟振荡器的需求。由此产生的信号特性将等于或优于老式的5V时钟振荡器。

5.0V时钟
2,将削波正弦波输出转换为CMOS:
许多TCXO温补振荡器和其它振荡器的削波正弦波输出信号很容易转换为CMOS输出信号。
这个简单的电路可以由额定输出为0.8Vpp削波正弦波的振荡器驱动,其最大负载为10K欧姆,与10pF并联。输出为CMOS方波,具有轨到轨电平,占空比接近50%。
该电路的工作电压范围为1.65V至5.5V,最低电源电压超过70MHz。

3,确定性抖动:
抖动的可预测成分称为确定性抖动。对于非倍频石英晶体振荡器,确定性抖动通常小于0.01皮秒。

4,精细泄漏测试标准:
测试条件:
氦气爆炸浸泡时间:2小时
爆炸压力:75磅/平方英寸
拒绝标准:> 5.00-8 atm.cc/sec

5,相位噪声至抖动转换:
振荡器抖动性能通常在频域中作为相位噪声来测量,因为这种方法可以提高精度和分辨率。

6,冲击等级和破碎的晶体导致故障:
石英晶体和石英晶体振荡器最常见的故障之一是晶体破裂。
包装内的晶体悬浮在包装内的自由空间中,悬浮在干燥氮气中或真空空间中。强烈的冲击会导致精密正时元件断裂。
大多数Pletronics产品的额定值为1500Gs,将设备摔在地板上很容易受到这种程度的冲击。
该图表显示了将物体掉落在硬木或乙烯基类地板表面时达到的重力。水泥地面上的力要大得多。

冲击等级和破碎的晶体导致故障

7,为什么TCXOs具有削波正弦波输出?
许多陶瓷LCC封装的TCXOs仅提供削波正弦波输出。这样做的原因有很多,尽管这让许多想要CMOS输出电平的电路设计人员感到沮丧。
* CMOS输出会显著增加TCXO IC的功耗。IC和封装中产生的温度梯度会限制实现最佳TCXO补偿的能力。
*各种可能的CMOS有源晶振负载会改变补偿设计,因为内部热梯度会导致TCXO不符合规格。
*当输出电平变化时,CMOS输出会导致电源和接地瞬变。这种噪声会对TCXO的相位噪声性能产生不利影响。
* CMOS输出会产生更大的EMI/RFI信号,可能导致最终系统难以满足美国FCC和其他国家/地区的辐射能量限制。限幅正弦波幅度低且大多为正弦波,导致信号电平低且谐波少。
*许多使用这些TCXOs的应用具有ASIC输入,接受限幅正弦波并在内部转换为CMOS逻辑电平。
 
8,为什么晶体有较低的频率限制?
晶体的厚度决定了频率。对于0.001英寸(0.0254毫米)厚的AT切割晶体,大约是63MHz基模谐振器。如果厚度加倍,则共振频率将为0.5 * 63MHz或31.5MHz
8兆赫的晶体厚度为0.0078英寸(0.200毫米)。4MHz晶体的厚度为0.0157英寸(0.400毫米)。
在特定尺寸的封装中,会遇到限制最低频率的两种情况:
1)简单条件下,较新的薄型陶瓷LCC封装不接受较厚的石英晶振晶体。根据封装不同,频率下限范围为8MHz至12MHz及以下。
2)请记住石英晶体是一种振动机械设备。对于最好的设计,那些具有较低ESR(CI)和无扰动(导致频率跳变的不希望的振动模式)的设计,振动区域应位于晶体的中心区域。
当晶体频率较低且晶体较厚时,振动区域与边缘的机械耦合更强。在这种情况下,扰动(不希望的共振)变得难以控制甚至几乎不可能控制。解决方案是将晶体切成斜面或轮廓(使晶体看起来更像放大镜的凹面形状)。边缘的变薄将振动区域限制在晶体中心,并允许控制扰动。
不幸的是,限制振动区域会显著增加ESR。例如在12MHz时,:
CX5  7x5mm晶体ESR最大值为50欧姆
CX532  5×3.2毫米晶体ESR最大值为80欧姆
 
原厂编码 厂家 型号 频率 频率稳定度
CX5Z-A5B2C5-70-7.37280D18 Cardinal晶振 CX5 7.3728MHz ±50ppm
CX532Z-A2B3C5-70-12.288D18 Cardinal晶振 CX532 12.288MHz ±30ppm
CX532Z-A2B3C5-70-16.0D18 Cardinal晶振 CX532 16MHz ±30ppm
CX5Z-ARB2C5-70-7.3728D18 Cardinal晶振 CX5 7.3728MHz ±50ppm
CX532Z-A2B3C5-70-12.0D18 Cardinal晶振 CX532 12MHz ±30ppm
CX5Z-A5B2C5-40-27.0D18 Cardinal晶振 CX5 27MHz ±50ppm
CX5Z-A5B2C5-40-24.0D18 Cardinal晶振 CX5 24MHz ±50ppm
CX5Z-A5B2C5-40-24.576D18 Cardinal晶振 CX5 24.576MHz ±50ppm
CX5Z-A5B2C5-70-8.0D18 Cardinal晶振 CX5 8MHz ±50ppm
CX5Z-A1B2C5-40-24.0D18 Cardinal晶振 CX5 24MHz ±50ppm
CX5Z-A5B2C5-50-16.0D18 Cardinal晶振 CX5 16MHz ±50ppm
CX5Z-A0B2C5-50-16.0D18 Cardinal晶振 CX5 16MHz ±50ppm
CX5Z-A2B2C5-40-10.0D18 Cardinal晶振 CX5 10MHz ±50ppm
CX532Z-A2B3C5-70-1966080D18 Cardinal晶振 CX532 19.6608MHz ±30ppm
CX532Z-A2B3C5-70-33.0D18 Cardinal晶振 CX532 33MHz ±30ppm
CX532Z-A2B3C5-70-27.0D18 Cardinal晶振 CX532 27MHz ±30ppm
CX532Z-A5B3C5-70-20.0D18 Cardinal晶振 CX532 20MHz ±30ppm
CX532Z-A2B3C5-70-14.7456D18 Cardinal晶振 CX532 14.7456MHz ±30ppm
CX532Z-A5B3C5-70-12.0D18 Cardinal晶振 CX532 12MHz ±30ppm
CX532Z-A2B3C5-70-50.0D18 贴片晶振 CX532 50MHz ±30ppm
CX532Z-A2B3C5-70-30.0D18 Cardinal晶振 CX532 30MHz ±30ppm
CX532Z-A5B3C5-70-27.0D18 Cardinal晶振 CX532 27MHz ±30ppm
CX532AZ-A5B2C5-70-25.0D18 Cardinal晶振 CX532 25MHz ±50ppm
CX532Z-A5B3C5-70-25.0D18 Cardinal晶振 CX532 25MHz ±30ppm
CX532Z-A2B3C5-70-20.0D18 Cardinal晶振 CX532 20MHz ±30ppm
CX5Z-A2B2C5-70-8.0D18 Cardinal晶振 CX5 8MHz ±50ppm
CX5Z-A2B2C5-40-25D18 Cardinal晶振 CX5 25MHz ±50ppm
CX532Z-A2B3C5-70-8.0D18 Cardinal晶振 CX532 8MHz ±30ppm
CX5Z-A2B2C5-40-12.0D18 Cardinal晶振 CX5 12MHz ±50ppm
CX5Z-A5B2C5-40-12.0D18 Cardinal晶振 CX5 12MHz ±50ppm
CX5Z-A5B2C5-40-10.0D18 Cardinal晶振 CX5 10MHz ±50ppm
CX5Z-A5B2C5-40-25D18 Cardinal晶振 CX5 25MHz ±50ppm
CX532Z-A5B3C5-70-18.432D18 Cardinal晶振 CX532 18.432MHz ±30ppm
CX532Z-A2B3C5-70-25.0D18 Cardinal晶振 CX532 25MHz ±30ppm


 



 

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