奥斯康利Oscilent晶振公司拥有广泛的生产线，1990年开始在中国生产，但总公司却是在美国，1993年也在韩国成立了分工厂，主要负责TCXO，VCXO的研发和生产，这两家制造基地均获得ISO9001认证。Oscilent Crystal公司设计的振荡器方案具有灵活性，稳定性与可调性，可按照客户的要求定制产品，开发和制造区域的OEM，设计和按方案制造客户提供服务。
在大多数晶体振荡器类型中，使用可变负载电容器将振荡频率调整到所需值。这种振荡器在图4的并联谐振区域工作，其中电抗与频率斜率（即“刚度”）与C1成反比。为了最大化石英晶体振荡器电路中的电抗（或相位）扰动的频率稳定性，电抗斜率（或相位斜率）必须最大。这要求C1最小。然而，C1越小，调谐振荡器越困难（即，对于给定的CL变化，Df'越小））。稳定性最高的振荡器使用具有小C1（和高Q值）的晶体单元。由于C1随着泛音数迅速减少，因此高稳定性振荡器通常使用三次或五次泛音晶体单元。高于五分之一的泛音很少使用，因为R1也随着泛音数迅速增加，并且通常需要一些可调性以允许将振荡器设置为所需频率。

图4.晶体单元的电抗与频率的关系

宽调谐范围VCXO晶振使用大C1的基模晶体单元。电压控制用于以下目的：频率或锁相两个振荡器;用于频率调制;补偿，如TCXO（见下文）;并用于校准（即，用于调整频率以补偿老化）。高稳定性，经过烤箱化的10-MHz 压控晶体振荡器可能具有±5x10-7的频率调节范围和2x10-8的老化速率，而宽调谐范围的10-MHz VCXO可能具有调谐范围为±50份/百万（ppm），老化率为每年2ppm。
通常，使振荡器在宽频率范围内可调谐会降低其稳定性，因为使振荡器容易受到故意调谐也会使其容易受到导致无意调谐的因素的影响。例如，如果一个恒温晶体振荡器（OCXO晶振）设计为在特定平均时间内具有1x10-12的稳定性，并且可调谐性为1x10-7，那么晶体的负载电抗必须稳定在1x10-5对于那个平均时间。实现这样的负载电抗稳定性是困难的，因为负载电抗受杂散电容和电感，变容二极管的电容与电压特性的稳定性以及变容二极管上的电压的稳定性的影响。此外，不仅在良性条件下，而且在变化的环境条件（温度，振动，辐射等）下，必须保持1×10-5的负载电抗稳定性。因此，振荡器的调谐范围越宽，保持高稳定性就越困难。
晶体振荡器本身就是一家比较稳定和好用的频率元件，在开发设计和生产过程中，要比普通的石英晶振要复杂一些，加工技术也比较先进，以实现低电源电压，低功耗，起振快，高性能，高稳定的优势。

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