ILSI超小型1612mm连续电源电压范围32.768kHz振荡器
来源:http://www.jinluodz.com 作者:金洛鑫电子 2019年12月17
ILSI超小型1612mm连续电源电压范围32.768kHz振荡器
32.768KHz系列的晶体振荡器有着MHz振荡器所没有优势,应用在高级时钟系统里,它更加精准稳定,适合用于对时钟设置要求较高的设备身上,属于比较特殊的一种石英晶体振荡器产品.美国ILSI晶振公司近期就成功开发,并推出了几款32.768K晶体振荡器型号,并且封装尺寸都非常小轻薄,最小的一款只有1.6×1.2×0.7mm.而且电源电压范围是连续性的,从+1.8V到+3.3V,超低的工作电压可使功耗更低.
ILSI晶振公司的ISM37系列是石英晶体振荡器,可提供准确的32.768kHz LVCMOS输出.这些系列具有2.0x1.6x0.8mm和1.6x1.2x0.7mm的紧凑尺寸,在-40℃至+85℃的工业工作范围内具有±25ppm的可用频率稳定性.
这些产品系列使设计工程师可以从其设计中省去单独的32.768kHz手表晶体和相关的负载电容器,并将LVCMOS振荡器功能整合为电路的单一封装.该产品还具有在从1.8VDC到3.3VDC的离散行业标准电源电压下具有低电流消耗的特点,并且具有1.62VDC到3.63VDC的连续电源电压范围选项.ISM37系列为设计工程师提供了LVCMOS输出,准确的32.768K参考电压,低电流消耗和连续电压范围选项的组合,从而为要求小尺寸的电池供电应用提供了准确的定时参考电压.
需要32.768kHz定时设备的应用包括:
RTC参考时钟
智能计量
工业控制
物联网设备
可穿戴
电池管理
健康设备
系统时钟源
技术特征:
低电流消耗
LVCMOS输出逻辑
连续电源电压范围
紧凑的SMD晶振封装
AT切割晶体的温度稳定性特征
无需外部负载电容器
无铅,符合RoHS和REACH
绝对最大限制
机械和焊盘布局尺寸(mm)
包装信息:
端接值=e4(A超过W碱金属而超过Ni)
端子电镀厚度:
金(0.3µm至1.0µm),镍(1.27µm至8.89µm)
环境指标:
波形图
焊剂回流曲线
单元向后兼容+240℃回流工艺
本文的目的就是为了给大家介绍这款,ILSI公司生产的32.768K石英振荡子系列产品,可用来做参考,ILSI在欧美市场的地位,相当于KDS,EPSON,SEIKO,CITIZEN,TXC,HELE等品牌在我国市场的重要性.凭借优越的品质和好口碑,在这几年进军亚洲市场,获得不俗的业绩,国内已有部分厂家使用ILSI品牌的石英晶体和石英晶体振荡器产品.
ILSI超小型1612mm连续电源电压范围32.768kHz振荡器
32.768KHz系列的晶体振荡器有着MHz振荡器所没有优势,应用在高级时钟系统里,它更加精准稳定,适合用于对时钟设置要求较高的设备身上,属于比较特殊的一种石英晶体振荡器产品.美国ILSI晶振公司近期就成功开发,并推出了几款32.768K晶体振荡器型号,并且封装尺寸都非常小轻薄,最小的一款只有1.6×1.2×0.7mm.而且电源电压范围是连续性的,从+1.8V到+3.3V,超低的工作电压可使功耗更低.
ILSI晶振公司的ISM37系列是石英晶体振荡器,可提供准确的32.768kHz LVCMOS输出.这些系列具有2.0x1.6x0.8mm和1.6x1.2x0.7mm的紧凑尺寸,在-40℃至+85℃的工业工作范围内具有±25ppm的可用频率稳定性.
这些产品系列使设计工程师可以从其设计中省去单独的32.768kHz手表晶体和相关的负载电容器,并将LVCMOS振荡器功能整合为电路的单一封装.该产品还具有在从1.8VDC到3.3VDC的离散行业标准电源电压下具有低电流消耗的特点,并且具有1.62VDC到3.63VDC的连续电源电压范围选项.ISM37系列为设计工程师提供了LVCMOS输出,准确的32.768K参考电压,低电流消耗和连续电压范围选项的组合,从而为要求小尺寸的电池供电应用提供了准确的定时参考电压.
需要32.768kHz定时设备的应用包括:
RTC参考时钟
智能计量
工业控制
物联网设备
可穿戴
电池管理
健康设备
系统时钟源
技术特征:
低电流消耗
LVCMOS输出逻辑
连续电源电压范围
紧凑的SMD晶振封装
AT切割晶体的温度稳定性特征
无需外部负载电容器
无铅,符合RoHS和REACH
频率范围 | 32.768KHz | |
频率公差 | ±15ppm,±20ppm,±30ppm,or±50ppm最大 | 在+25℃ |
频率稳定度 | ±15ppm,±20ppm,±30ppm,or±50ppm最大 | 包括工作温度范围 |
工作温度范围 |
-20℃~+70℃ -30℃~+85℃ -40℃~+85℃ |
|
电源电压(Vdd) | 1.8V,2.5V,2.8V,3.0V,3.3V或1.62V至3.63V | |
输入电流 | 最大值30µA | 空载,Vdd=3.3V |
输出逻辑类型 | LVCMOS | |
输出驱动能力 | 最高15pF | |
老化 | 每年±3ppm | 在+25℃ |
占空比 | 50±5(%) | 在波形的50%处测量 |
上升/下降时间 | 最大200nSec | 从波形的10%到90%测量 |
输出电压逻辑高 | Vdd最小值的90% | |
输出电压逻辑低 | Vdd最大值的10% | |
输入电压逻辑高 | Vdd最小值的70%或不连接以启用输出 | |
输入电压逻辑低 | 最大Vdd的30%禁用输出(高阻抗) | 禁用的输出:高阻抗 |
待机电流 | 最大值3µA | Vdd=2.5V至3.3V |
启动时间 |
最大7毫秒 最大10毫秒 |
Vdd=1.8V |
注意: ●除非另有说明,否则所有最小和最大限制都是在温度和额定工作电压(输出为15pF)上指定的. ●建议在Vdd(焊盘4)和GND(焊盘2)之间使用0.1µF旁路电容,以最大程度地降低电源噪声. |
储存温度范围 | -55℃至+125℃ |
电源电压范围 | -0.3Vdc至Vdd+0.5Vdc |
静电放电 | 最大2000伏 |
焊接温度 | 最高260℃ |
结温 | 最高150℃ |
注意:如果使用超出绝对最大额定值的零件,则可能导致内部损坏.该零件应在建议的工作条件下使用,否则,如果超出这些条件,则该零件的可靠性可能会受损. |
端接值=e4(A超过W碱金属而超过Ni)
端子电镀厚度:
金(0.3µm至1.0µm),镍(1.27µm至8.89µm)
环境指标:
机械冲击 | MIL-STD-202,Method213 |
机械振动 | MIL-STD-202,Method204 |
耐焊接热 | MIL-STD-202,Method210 |
可焊性 | J-STD-002 |
漏油 | MIL-STD-883,Method1014 |
细漏 | MIL-STD-883,Method1014 |
水分敏感性水平 | MSL1(+260℃) |
Ts最大至t1(上升速率) | 3℃/秒以下 |
预热 最低温度(Ts分钟) 温度典型值(Ts典型值) 最高温度(Ts最大值) 时间(Ts) |
150℃ 175℃ 200℃ 60至180秒 |
Ramp-upTate(TL~Tp | 3℃/秒以下 |
维持以上时间 温度(TL) 时间(TL) |
217℃ 60至150秒 |
峰值温度(Tp) | 最高260℃,持续10秒 |
5℃以内的时间达到峰值 温度(Tp) |
20至40秒 |
减速率 | 6℃/秒以下 |
调节25℃至峰值温度 | 最多8分钟 |
水分敏感性水平(MSL) | 1级 |
ILSI超小型1612mm连续电源电压范围32.768kHz振荡器
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