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超小型的8018CG晶振OEM-ODM有源晶振代工代购X1G005601028800

来源:http://www.jinluodz.com 作者:diss 2022年10月18
超小型的8018CG晶振OEM-ODM有源晶振代工代购X1G005601028800,能够做到持续成长型的企业并不多,但偏偏就是这些少数派里,才有顶尖的技术以及对自我的高要求高标准,使得其更加能够在这个激烈的市场斗争之中存活,爱普生公司有着属于自身的使命感,通过自身的努力不断造福于人民,同时也将最优质的产品呈现给用户,爱普生公司很高兴推出了SG-8018CG晶振,贴片石英晶振编码X1G005601028800,频率38.400000兆赫,输出WaveCMOS,电源电压1.62 ~ 3.63 V,尺寸(LxWxH)2.50 x 2.00 x 0.80 mm,工作温度-40至+105°C,频率公差±50ppm,额外的OptionsN /OSC类型可编程时钟OSC,具有良好的稳定性能,非常适合用于5G无线模块,蓝牙模块,蓝牙彩灯控制模块,OEM-ODM等领域。

超小型的8018CG晶振OEM-ODM有源晶振代工代购X1G005601028800,爱普生持续秉承“省、小、精”技术理念,以绿色科技,为中国用户提供更多超越期待的有源晶振产品和服务,致力于成为中国消费者心中不可或缺的公司。
Product Number 进口晶振 Frequency LxWxH Output Wave Supply Voltage Ope Temperature Freq. Tol.
X1G005601027700 SG-8018CG 6.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601027800 SG-8018CG 4.608000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601027900 SG-8018CG 33.333333 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028000 SG-8018CG 2.711860 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028100 SG-8018CG 36.532540 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028200 SG-8018CG 42.473240 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028300 SG-8018CG 66.666700 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028400 SG-8018CG 90.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028500 SG-8018CG 13.560000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028600 SG-8018CG 110.592000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028700 SG-8018CG 6.553600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028800 SG-8018CG 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601028900 SG-8018CG 60.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601029000 SG-8018CG 64.800000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601029100 SG-8018CG 28.600000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601029400 SG-8018CG 22.500000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601029500 SG-8018CG 27.500000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601029600 SG-8018CG 150.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601029700 SG-8018CG 7.680000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601029800 SG-8018CG 19.440000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601029900 SG-8018CG 66.600000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005601030000 SG-8018CG 27.120000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
石英晶体振荡器是一种各向异性晶体。 它由以特定方位角切割的薄片制成,然后在晶片的相应表面上涂有银。 安装一对金属块作为极板,构成石英晶体振荡器。 石英晶体可用作振荡电路的原因在于其压电效应。 当在晶片外部的两个板之间添加电场时,晶体将产生机械变形; 相反,当在板之间施加机械力时,将在晶体中产生电场。 这种现象称为压电效应。
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此文关键字: 超小型晶振
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