有源晶振的各项常规参数
来源:http://www.jinluodz.com 作者:金洛电子 2014年08月09
一般来说,晶振不以有源无源来分类,只有客户端工程师才会这样子叫.客户端工程师所说的晶振其实就是晶体谐振器和晶体振荡器的统称.
振荡器也可以分为插件(DIP)和贴片(SMD),插件如长方形的DIP14封装,正方形的DIP8封装等,贴片有5*7, 3.2*5等封装.
石英晶体振荡器分为普通晶体振荡(SPXO),电压控制式晶体振荡器(VCXO),温度补偿式晶体振荡(TCXO),恒温控制式晶体振荡(OCXO).
普通晶体振荡器(SPXO)可产生10^(-5)~10^(-4)量级的频率精度,标准频率1—100MHZ,频率稳定度是±100ppm.SPXO没有采用任何温度频率补偿措施,价格低廉,通常用作微处理器的时钟器件.封装尺寸范围从21×14×6mm及5×3.2×1.5mm.
电压控制式晶体振荡器(VCXO)的精度是10^(-6)~10^(-5)量级,频率范围1~30MHz.低容差振荡器的频率稳定度是±50ppm.通常用于锁相环路.封装尺寸14×10×3mm
温度补偿式晶体振荡器(TCXO)采用温度敏感器件进行温度频率补偿,频率精度达到10^(-7)~10^(-6)量级,频率范围1-60MHz,频率稳定度为±0.1~±2.5ppm,封装尺寸如DIP14,DIP8等,通常用于手持电话、蜂窝电话、双向无线通信设备等.
恒温控制式晶体振荡器(OCXO)将晶体和振荡电路置于恒温槽中,以消除环境温度变化对频率的影响.OCXO频率精度是10^(-10)至10^(-8)量级,对某些特殊应用甚至达到更高.频率稳定度在四种类型振荡器中最高.
专业人员都知道晶振的主要几个参数无非就是频点,PPM精度值,负载电容和温度稳定性.晶振的好坏全看这几项参数.
调整频差(Frequency Tolerance):在规定条件下,在基准温度(25±2℃)与标称频率允许的偏差.一般用ppm(百万分之)表示.
负载电容(Load Capacitance):与晶体一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容,通常用CL表示.
频率温度稳定性:在标称电源和负载下,工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的最大允许频偏.
开机特性(频率稳定预热时间):指开机后一段时间(如五分钟)的频率到开机后另一段时间(如半小时)的频率变化率,表达了晶振达到稳定的速度.
频率老化率:在恒定的环境条件下测量振荡器频率时,振荡器频率和时间之间的关系.这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器元件的缓慢变化造成的.因此其频率偏移的速度叫老化率,可用规定的时限后的最大变化率,或规定的时限内最大的总频率变化.
单边带相位噪声£(f):偏离载波f处,一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比.
频率压控范围:将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压,晶体振荡器频率的最小峰值改变量.
率压控线性:与理想(直线)函数相比的输出频率,输入控制电压传输特性的一种量度,以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度.
老化率:随着时间的推移,频率值随着变化的大小,有年老化和日老化两种指标, 也有一些厂家提到10年或20年老化率的指标;
谐振器分为插件和贴片晶振,一般都需要外接元件组成振荡电路.
振荡器也可以分为插件(DIP)和贴片(SMD),插件如长方形的DIP14封装,正方形的DIP8封装等,贴片有5*7, 3.2*5等封装.
石英晶体振荡器分为普通晶体振荡(SPXO),电压控制式晶体振荡器(VCXO),温度补偿式晶体振荡(TCXO),恒温控制式晶体振荡(OCXO).
普通晶体振荡器(SPXO)可产生10^(-5)~10^(-4)量级的频率精度,标准频率1—100MHZ,频率稳定度是±100ppm.SPXO没有采用任何温度频率补偿措施,价格低廉,通常用作微处理器的时钟器件.封装尺寸范围从21×14×6mm及5×3.2×1.5mm.
电压控制式晶体振荡器(VCXO)的精度是10^(-6)~10^(-5)量级,频率范围1~30MHz.低容差振荡器的频率稳定度是±50ppm.通常用于锁相环路.封装尺寸14×10×3mm
温度补偿式晶体振荡器(TCXO)采用温度敏感器件进行温度频率补偿,频率精度达到10^(-7)~10^(-6)量级,频率范围1-60MHz,频率稳定度为±0.1~±2.5ppm,封装尺寸如DIP14,DIP8等,通常用于手持电话、蜂窝电话、双向无线通信设备等.
恒温控制式晶体振荡器(OCXO)将晶体和振荡电路置于恒温槽中,以消除环境温度变化对频率的影响.OCXO频率精度是10^(-10)至10^(-8)量级,对某些特殊应用甚至达到更高.频率稳定度在四种类型振荡器中最高.
专业人员都知道晶振的主要几个参数无非就是频点,PPM精度值,负载电容和温度稳定性.晶振的好坏全看这几项参数.
调整频差(Frequency Tolerance):在规定条件下,在基准温度(25±2℃)与标称频率允许的偏差.一般用ppm(百万分之)表示.
负载电容(Load Capacitance):与晶体一起决定负载谐振频率fL的有效外界电容,通常用CL表示.
频率温度稳定性:在标称电源和负载下,工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的最大允许频偏.
开机特性(频率稳定预热时间):指开机后一段时间(如五分钟)的频率到开机后另一段时间(如半小时)的频率变化率,表达了晶振达到稳定的速度.
频率老化率:在恒定的环境条件下测量振荡器频率时,振荡器频率和时间之间的关系.这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器元件的缓慢变化造成的.因此其频率偏移的速度叫老化率,可用规定的时限后的最大变化率,或规定的时限内最大的总频率变化.
单边带相位噪声£(f):偏离载波f处,一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比.
频率压控范围:将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压,晶体振荡器频率的最小峰值改变量.
率压控线性:与理想(直线)函数相比的输出频率,输入控制电压传输特性的一种量度,以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度.
老化率:随着时间的推移,频率值随着变化的大小,有年老化和日老化两种指标, 也有一些厂家提到10年或20年老化率的指标;
谐振器分为插件和贴片晶振,一般都需要外接元件组成振荡电路.
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