NDK晶振,NX2016SA晶振,2016晶振,无源晶振
参数:频率范围20MHZ-80MHZ
负载电容: 8pF
串联电阻: Refer to*1
工作温度: - 40 ~ + 85 ℃
保存温度: - 40~ + 85 ℃
精度 +/-15PPM
激励电平: 10μW (Max.200μW)
尺寸：小体积2.0*1.6*0.45
应用：智能手机,笔记本电脑,安防,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途

　　现在我们作为提供电子业必不可少的，在丰富用途被广泛使用的石英晶振产品以及应用水晶技术的传感器等新的高附加价值产品的频率综合晶振厂家，正以企业的继续成长为目标而努力。
      并且展开在产业设备、车载、传感器领域，利用高的品质力和技术力用实力强的产品创造出利益的中期销售计划。通过赢得客户的高评价和高信赖来确保持续的成长和安定的收益，来努力达成销售额500亿日元企业的复活的目标。

,无源晶振,是一款只有2.0*1.6*0.45mm没有硬币大小的表面贴片金属封装四脚贴片晶振,在无源无电压的石英晶体谐振器中相对较小的一款晶振，采用编带外包装可方便自动贴片机的自动贴装提高效率，因为体积小的优势，被广泛应用在智能手机，无线电话，蓝牙等电子产品中，即使是用在卫星导航中也可以保持稳定的起振。

   1.操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具，夹具直接接触IC的表面。
     2.使用环境（温度和湿度）
请在规定的温度范围内使用产品。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下，会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
     3.激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力，会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 （请参阅“激励功率”章节内容）。
    4.负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻，否则振荡或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）。
    5.负载电容
振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整，可能只会导致不正常的振荡。在使用SMD晶振之前，请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）。

设计振荡回路的注意事项

1.驱动能力
驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率，其计算公式如下：
驱动能力(p)=i2?Re
其中i表示晶体单元的电流，Re表示晶体单元的有效电阻，
而且 Re=R1(1-Co/CL)2.
 
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。

3. 负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。
 

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