晶振系列
- 陶瓷雾化片 wuhuapian
- 陶瓷晶振 taocijingzhen
- 32.768K Clock crystal
- 贴片晶振 SMDcrystal
- 石英晶振 Quartz Crystal
- 声表面滤波器 Quartz Crystal
- 声表面谐振器 resonator
- 陶瓷滤波器 taocilvboqi
- KDS晶振 KDS CRYSTAL
- 精工晶振 SEIKO CRYSTAL
- 村田晶振 muRata CRYSTAL
- 西铁城晶振 CITIZEN CRYSTAL
- 爱普生晶振 EPSON CRYSTAL
- 微孔雾化片 微孔雾化片
- 台湾加高晶体 H.ELE
- 进口京瓷晶体 KYOCERA
- 日本NDK晶体 进口NDK晶体
- 日本大河晶体 RIVER
- 美国CTS晶体 CTS石英晶体
- 台湾希华晶体 台湾希华
- 台湾鸿星晶体 HOSONIC
- 台湾TXC晶体 TXC CRYSTAL
- 台湾泰艺晶体 TAITIEN CRYSTAL
- 台湾亚陶晶体 百利通亚陶
- 台湾NSK晶体 NSK CRYSTAL
- 玛居礼晶振 台湾玛居礼晶振
- 富士晶振 日本富士贴片晶振
- SHINSUNG晶振 韩国进口SHINSUNG晶振
- SMI晶振 日本SMI贴片晶振
- Lihom晶振 韩国Lihom晶振
- NAKA晶振 日本纳卡株式会社晶振
- AKER晶振 台湾安碁贴片晶振
- NKG晶振 NKG石英晶振
- NJR晶振 日本NJR晶振
- Sunny晶振 Sunny CRYSTAL
- Statek晶振 Statek贴片晶体
- Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL
- Jauch晶振 Jauch Crystal
- 日蚀晶振 Ecliptek Crystal
- IDT晶振 IDT进口晶振
- 格林雷晶振 Greenray恒温晶振
- 高利奇晶振 Golledge石英晶体振荡器
- 维管晶振 Vectron Crystal
- 拉隆晶振 Raltron CRYSTAL
- 瑞康晶振 Rakon石英晶体
- 康纳温菲尔德晶振 ConnorWinfield Crystal
- ECS晶振 ECS CRYSTAL
- Abracon晶振 Abracon 石英振荡器
- CTS晶振 西迪斯晶振
- SiTime晶振 SiTime可编码振荡器
- 微晶晶振 Microcrystal Crystal
- AEK晶振 AEK CRYSTAL
- AEL晶振 AEL CRYSTAL
- Cardinal晶振 Cardinal贴片晶体
- Crystek晶振 Crystek石英晶振
- Fox晶振 Fox有源晶振
- Frequency晶振 Frequency Crystal
- GEYER晶振 GEYER CRYSTAL
- KVG晶振 KVG石英晶体
- ILSI晶振 ILSI CRYSTAL
- Euroquartz晶振 Euroquartz crystal
- MMDCOMP晶振 MMDCOMP贴片晶振
- MtronPTI晶振 MtronPTI晶体谐振器
- QANTEK晶振 QANTEK石英晶振
- QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶体
- Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal
- Suntsu晶振 Suntsu石英贴片晶振
- Transko晶振 Transko crystal
- Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal
- Rubyquartz晶振 进口Rubyquartz CRYSTAL
- ACT晶振 ACT石英晶振
- Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL
- ITTI晶振 ITTI石英晶体谐振器
- MTI-milliren晶振 MTI Crystal
- PDI晶振 PDI CRYSTAL
- IQD晶振 IQD CRYSTAL
- Microchip晶振 Microchip crystal
- Silicon晶振 Silicon Crystal
- 安德森晶振 Anderson Crystal
- 富通晶振 Fortiming Crystal
- CORE晶振 CORE CRYSTAL
- NIPPON晶振 NIPPON石英晶体振荡器
- NIC晶振 NIC Crystal
- QVS晶振 QVS CRYSTAL
- Bomar晶振 Bomar Crystal
- Bliley晶振 Bliley Crystal
- GED晶振 GED CRYSTAL
- FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL
- Standard晶振 Standard Crystal
- Q-Tech晶振 美国Q-Tech晶振
- Wenzel晶振 Wenzel Crystal
- NEL晶振 美国NEL晶振
- EM晶振 EM CRYSTAL
- PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL
- FCD-Tech晶振 荷兰晶振FCD-Tech
- HEC晶振 HEC CRYSTAL
- FMI晶振 FMI CRYSTAL
- 麦克罗比特晶振 Macrobizes Crystal
- AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL
- ARGO晶振 ARGO晶振公司是专业提供和设计波段频率控制设备和微波无线通信零部件.我们还分销日本,欧洲和美国的一些知名品牌零部件.我们致力于发展与计算机,IT和无线通信公司无任何界限的信息时代.我们秉承经营者的踏实,诚恳的态度,互惠互利的精神,实现共赢的目标,以诚信为本,诚信为本,公平交易为宗旨,以诚信,勤勉,诚信,精神质量第一,客户满意的经营理念,将以优良的产品质量,优惠的价格,优质的服务与您建立长期稳定的合作关系,共创辉煌事业.
- SKYWORKS晶振
- Renesas瑞萨晶振
- 贴片石英晶振 SMD CRYSTAL
- 贴片陶瓷晶振 SMD 陶振
- 有源晶振 Oscillator
- 石英晶体振荡器 OSC石英晶体振荡器
- 压控晶振 VCXO进口晶振
- 压控温补晶振 VC-TCXO CRYSTAL
- 恒温晶振 OCXO有源晶振
- 差分晶振 差分石英晶体振荡器
- 数码产品
- 医疗产品
- 汽车产品
- 移动产品
- 智能家居
- 网络设备
- 规格型号:54765519
- 频率:8.000MHZ~54.000MHZ
- 尺寸:5.0*3.2*1.2mm 详细资料请查看PDF
- 产品描述:广泛应用于"XSLAAAAANF-20.000000"平板电脑,MP5,数码相机,USB接口最佳选择,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的铅.
泰艺晶振,XS晶振,5032晶振,石英晶体,XSLAAAAANF-20.000000
泰艺晶振,XS晶振,5032晶振,石英晶体"XSLAAAAANF-20.000000"
参数:频率范围8.000MHZ~54.000MHZ
激励电平: 10μW (Max. 300μW )
负载电容: 7PF
工作温度: -40℃~+85℃
保存温度: -55℃~+125℃
精度 ±5ppm,±10ppm,±15ppm,±20ppm
捆包单位:1000pcs/reel
尺寸:轻薄小型5.0*3.2*1.2
应用:单反相机,无线通讯,计算机,接口卡,座机,对讲机,万能遥控器,全球定位系统,MP3,MP4等数码产品。
泰艺电子多年来致力于研发创新,部分核心技术是台湾业界的领先者,近年来陆续取得石英晶振相关制造技术专利;未来将持续加强开发,"XSLAAAAANF-20.000000"以成为全球石英频控组件领导者之目标迈进。
泰艺电子清楚知道自身对于同仁、环境、社会及合作伙伴们所肩负的责任与义务,相信透过信息公开与揭露CSR报告书,对建立一个平衡与和谐的利害关系人良性互动网络有帮助,更能促进晶振企业健康稳定的成长。
泰艺晶振,XS晶振,5032晶振,石英晶体,是市场上常用的一款5032mm晶体谐振器,这款晶振的特点在于除了是两个点的脚位设计,还是陶瓷表面外壳,"XSLAAAAANF-20.000000"具有良好的耐高温性能,用料天然环保符合欧盟的ROHS规定,在这个要求产品无铅化的时代,这无疑成为了XS晶振的一大优势,让各行业的生产厂家可能放心的使用。
泰艺晶振型号 | XS晶振,台湾晶振 |
频率范围 | 8.000MHZ~54.000MHZ |
频率公差(25℃) | ±5ppm,±10ppm,±15ppm,±20ppm 可指定 |
频率稳定度超过工作温度范围 | ±15ppm,±20ppm,±30ppm,±50ppm 可指定 |
操作温度范围 | -40℃~+85℃,可指定 |
并联电容CO | 5pF Max. |
驱动电平 | 100μW (Max. 300μW ) |
负载电容 | 7pF,可指定 |
老化(25℃) | ±3 ppm /年最大。 |
存储温度范围 | -55℃~+125℃ |
抗冲击
晶体产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。"XSLAAAAANF-20.000000"
辐射
暴露于辐射环境会导致石英晶体谐振器性能受到损害,因此应避免照射。
化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致产品所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用贴片晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
静电"XSLAAAAANF-20.000000"
过高的静电可能会损坏产品,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
输出波形与测试电路
1.时序表
2. 测试条件
(1) 电源电压
超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。
电源电压阻抗低于电阻 2Ω。
(2) 其他"XSLAAAAANF-20.000000"
输入电容低于 15 pF
5倍频率范围或更多测量频率。
铅探头应尽可能短。
测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过进口晶振放大器时,可同时进行测量。
(3) 其他
CL包含探头电容。
应使用带有小的内部阻抗的电表。
使用微型插槽,以观察波形。
(请勿使用该探头的长接地线。)"XSLAAAAANF-20.000000"
3. 测试电路
XS :在频率电压控制功能时,进行连接
(1)CMOS 负载 型号: XS |
(2) 抗低,电容负载 型号: XS |
(3) TTL 负载 型号: XS |
(4) LV-PECL 负载 型号: XS |
(5)LV-PECL 负载 型号: XS |
(6) LV-PECL 负载 型号: XS |
(7) LVDS 负载 型号: XS |
(8) HCSL 负载 型号: XS |
深 圳 市 金 洛 电 子 有 限 公 司
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