晶振系列
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陶瓷雾化片 wuhuapian -
陶瓷晶振 taocijingzhen -
32.768K Clock crystal -
贴片晶振 SMDcrystal -
石英晶振 Quartz Crystal -
声表面滤波器 Quartz Crystal -
声表面谐振器 resonator -
陶瓷滤波器 taocilvboqi -
KDS晶振 KDS CRYSTAL -
精工晶振 SEIKO CRYSTAL -
村田晶振 muRata CRYSTAL -
西铁城晶振 CITIZEN CRYSTAL -
爱普生晶振 EPSON CRYSTAL -
微孔雾化片 微孔雾化片 -
台湾加高晶体 H.ELE -
进口京瓷晶体 KYOCERA -
日本NDK晶体 进口NDK晶体 -
日本大河晶体 RIVER -
美国CTS晶体 CTS石英晶体 -
台湾希华晶体 台湾希华 -
台湾鸿星晶体 HOSONIC -
台湾TXC晶体 TXC CRYSTAL -
台湾泰艺晶体 TAITIEN CRYSTAL -
台湾亚陶晶体 百利通亚陶 -
台湾NSK晶体 NSK CRYSTAL -
玛居礼晶振 台湾玛居礼晶振 -
富士晶振 日本富士贴片晶振 -
SHINSUNG晶振 韩国进口SHINSUNG晶振 -
SMI晶振 日本SMI贴片晶振 -
Lihom晶振 韩国Lihom晶振 -
NAKA晶振 日本纳卡株式会社晶振 -
AKER晶振 台湾安碁贴片晶振 -
NKG晶振 NKG石英晶振 -
NJR晶振 日本NJR晶振 -
Sunny晶振 Sunny CRYSTAL -
Statek晶振 Statek贴片晶体 -
Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL -
Jauch晶振 Jauch Crystal -
日蚀晶振 Ecliptek Crystal -
IDT晶振 IDT进口晶振 -
格林雷晶振 Greenray恒温晶振 -
高利奇晶振 Golledge石英晶体振荡器 -
维管晶振 Vectron Crystal -
拉隆晶振 Raltron CRYSTAL -
瑞康晶振 Rakon石英晶体 -
康纳温菲尔德晶振 ConnorWinfield Crystal -
ECS晶振 ECS CRYSTAL -
Abracon晶振 Abracon 石英振荡器 -
CTS晶振 西迪斯晶振 -
SiTime晶振 SiTime可编码振荡器 -
微晶晶振 Microcrystal Crystal -
AEK晶振 AEK CRYSTAL -
AEL晶振 AEL CRYSTAL -
Cardinal晶振 Cardinal贴片晶体 -
Crystek晶振 Crystek石英晶振 -
Fox晶振 Fox有源晶振 -
Frequency晶振 Frequency Crystal -
GEYER晶振 GEYER CRYSTAL -
KVG晶振 KVG石英晶体 -
ILSI晶振 ILSI CRYSTAL -
Euroquartz晶振 Euroquartz crystal -
MMDCOMP晶振 MMDCOMP贴片晶振 -
MtronPTI晶振 MtronPTI晶体谐振器 -
QANTEK晶振 QANTEK石英晶振 -
QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶体 -
Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal -
Suntsu晶振 Suntsu石英贴片晶振 -
Transko晶振 Transko crystal -
Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal -
Rubyquartz晶振 进口Rubyquartz CRYSTAL -
ACT晶振 ACT石英晶振 -
Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL -
ITTI晶振 ITTI石英晶体谐振器 -
MTI-milliren晶振 MTI Crystal -
PDI晶振 PDI CRYSTAL -
IQD晶振 IQD CRYSTAL -
Microchip晶振 Microchip crystal -
Silicon晶振 Silicon Crystal -
安德森晶振 Anderson Crystal -
富通晶振 Fortiming Crystal -
CORE晶振 CORE CRYSTAL -
NIPPON晶振 NIPPON石英晶体振荡器 -
NIC晶振 NIC Crystal -
QVS晶振 QVS CRYSTAL -
Bomar晶振 Bomar Crystal -
Bliley晶振 Bliley Crystal -
GED晶振 GED CRYSTAL -
FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL -
Standard晶振 Standard Crystal -
Q-Tech晶振 美国Q-Tech晶振 -
Wenzel晶振 Wenzel Crystal -
NEL晶振 美国NEL晶振 -
EM晶振 EM CRYSTAL -
PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL -
FCD-Tech晶振 荷兰晶振FCD-Tech -
HEC晶振 HEC CRYSTAL -
FMI晶振 FMI CRYSTAL -
麦克罗比特晶振 Macrobizes Crystal -
AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL -
ARGO晶振 ARGO晶振公司是专业提供和设计波段频率控制设备和微波无线通信零部件.我们还分销日本,欧洲和美国的一些知名品牌零部件.我们致力于发展与计算机,IT和无线通信公司无任何界限的信息时代.我们秉承经营者的踏实,诚恳的态度,互惠互利的精神,实现共赢的目标,以诚信为本,诚信为本,公平交易为宗旨,以诚信,勤勉,诚信,精神质量第一,客户满意的经营理念,将以优良的产品质量,优惠的价格,优质的服务与您建立长期稳定的合作关系,共创辉煌事业.
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞萨晶振
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贴片石英晶振 SMD CRYSTAL -
贴片陶瓷晶振 SMD 陶振 -
有源晶振 Oscillator -
石英晶体振荡器 OSC石英晶体振荡器
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压控晶振 VCXO进口晶振
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压控温补晶振 VC-TCXO CRYSTAL
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恒温晶振 OCXO有源晶振
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差分晶振 差分石英晶体振荡器
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数码产品
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医疗产品
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汽车产品
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移动产品
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智能家居
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网络设备
- 规格型号：8126584
- 频率：10.000MHZ-40.000MHZ
- 尺寸：7.0*5.0*2.0详细资料查看PDF
- 产品描述：广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅。
石英晶振,温补振荡器,贴片晶振,NT7050BC晶振
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温补振荡器,石英晶振,贴片晶振,NT7050BC晶振
参数:频率范围10MHZ-40MHZ
电源电压: 1.8-3.3V
负载电容: 15PF，30PF
工作温度: - 40 ~ + 85 ℃
保存温度: - 55 ~ + 125 ℃
精度 +/-0.5PPM
输出方式: CMOS输出
尺寸：大体积7.0*5.0*2.0
应用：全球GPS定位系统，智能手机，平台基站，卫星导航，WIMAX,蜂窝，无线通信等产品。
本集团将方针转换至面向量产市场的产品的再强化上，把均衡缩减战略切换成成长战略。并且展开在产业设备、车载、传感器领域，利用高的品质力和技术力用实力强的产品创造出利益的中期销售计划.
日本电波工业株式会社作为晶体元器件的专业NDK晶振生产厂家，以“通过对客户的服务，为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立。
| NDK晶振型号/输出类型 | NT7050BC晶振,贴片晶振 |
| 晶振类型 | 温补晶振 |
| 输出负载 | 15pF,30pF |
| 振荡模式 | 基本/第三泛音 |
| 电源电压 | 1.8V,2.5V,2.8V,3.3V |
| 频率范围 | 10~40MHZ |
| 频率稳定度 | ± 0.5 ppm |
| 工作温度 | - 40 ~ + 85 ℃ |
| 保存温度 | - 55 ~ + 125 ℃ |
| 电压卷（最大值）/ VOH（最小值） | 0.1 VDD / 0.9 VDD |
| 启动时间 | 5 ms Max. |
| 相位抖动（12千赫?20兆赫） | 1个PS最大。 |
| 老化率 | ±3 ppm /年最大。 |
1:机械振动的影响
当晶体产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时，比如：压电扬声器，压电蜂鸣器，以及喇叭等，输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶体产品设计可最小化这种机械振动的影响，我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。
2:PCB设计指导
(1) 理想情况下，机械蜂鸣器应安装在一个独立于晶体器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上，最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时，机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。
(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。
(3) 在使用焊料助焊剂时，按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。
(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。
3:存储事项
(1)在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时，会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品，并在开封后尽可能进行安装，以免长期储藏。
正常温度和湿度：
温度：+15°C 至 +35°C，湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）。
(2)请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率，其计算公式如下：
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流，
Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。
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