相比前10年或更早之前，TCXO晶振的制造技术和生产工艺，已经有了很大的进步和改变，尤其是在尺寸方面，缩小了好几倍。目前最小体积的温补晶振是1.6*1.2mm的，基本上可以应用到任何一种小型设备上，可以说几乎不占任何空间。用于TCXO OSCillator身上的金属封装技术，也越来越先进。
TCXO技术已在手机和GPS应用中使用多年，TCXO是温度补偿晶体振荡器，具有用于施加到电压控制引脚的温度变化的校正电压。在本申请中所使用的IC具有一个温度传感器和一个5个产生施加到振荡器的校正电压阶补偿网络。
TCXO技术已经取得了显着的进步，提供了时钟解决方案，曾经是烤箱补偿（有时称为恒温）晶体振荡器（OCXO）的独家产品。OCXO晶振中使用的技术在晶体周围构建了一个加热器，因此该器件可以在一个高温下稳定，不会暴露在环境中的温度变化中。根据美国国家标准协会（ANSI）标题为数字网络的同步接口标准（ANSI/T1.101-1987），Stratum3振荡器在-40℃至85℃下需要±0.28ppm。有一段时间，这只能使用OCXO技术提供。现在，TCXO技术是用于支持Stratum3要求的标准技术。
在有限的温度范围内，TCXO OSCillator已经比Stratum3更加稳定。目前同类最佳的TCXO技术在0°C至70°C的温度范围内具有±50ppb的频率温度稳定性。TCXO补偿效果的限制因素是晶体曲线的纯度以及用于补偿器件的IC的阶数和步进分辨率。表1显示了TCXO和OCXO技术之间的比较。TCXO与OCXO技术相比，两个最显着的优势是功耗更低，稳定时间更快。TCXO晶振通常需要OCXO所需电流的约1％，并且稳定性以秒或分数秒来测量。

表1.与某些晶体振荡器规范的比较

现有技术：
表1还示出了OeM8产品与标准TCXO和OCXO技术的快速比较。OeM8是Pletronics的OeM系列频率控制设备的扩展，是一种改进的TCXO，可将±50ppb的稳定性扩展到-40°C至85°C的工作温度范围。与典型的TCXO相比，OeM8消耗的电流大约为20mA，但电流消耗是一致的，并且不会像传统的OCXO有源晶振那样随温度变化。该产品将±50ppb的稳定性扩展到工业温度范围，具有TCXO技术的低电流和快速稳定时间特性。
典型的频率与温度特性如图2所示。1个用于三个典型设备;频率/温度数据的步长为1°C。设备的Allan方差和相位噪声如图2所示。

图1：三种典型OeM8器件的频率与温度性能

图2：OeM8器件的Allen方差性能

图3：OeM8设备的相位噪声

小型蜂窝回程应用：
小型蜂窝回程需要精确的时序参考，以实现同步和定位目的。特别是，多层结构内的三维定位需要超精确的定时参考。OeM8与满足此要求的OCXO类似。OeM8还具有更快的频率稳定性和更低功耗的优势。当在需要电池供电的电源的远程位置使用时，此性能有助于延长电池寿命。虽然在这种小型电池回程应用中OeM8应被视为标准温度补偿晶体，但还有另一种产品OeM4也可用于小型电池应用。OeM4具有显着的价格优势，其性能与OeM8类似，但在较窄的温度范围内提供±50ppb的稳定性：0℃至70℃。
微小型化生产的TCXO OSCillator的用处很大，成为除了OSC晶振之外，最受欢迎的振荡器，在技术提升的同时也降低了成本，这也是为什么用户热衷于使用温补晶振的原因之一。深圳市金洛鑫电子专门供应海内外几十家不同品牌的温补振荡器，保证原装正品，正规渠道订购，咨询热线：0755-27837162.

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改进的TCXO OSCillator技术可用于小型电池

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