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汽车充电桩专用LVDS差分晶振X1G005331000200

来源:http://www.jinluodz.com 作者:vies 2022年09月28
汽车充电桩专用LVDS差分晶振X1G005331000200,随着爱普生公司的知名度和影响力持续扩大,使得更多用户与其合作,在晶体行业中,爱普生公司有着巨大的优势,懂得资源整合的爱普生公司,能够快速分析出当下市场的巨大缺口和需求,于是便通过自身的技术节省能源、实现更小的产品并提高准确性和精度,使爱普生能够为可持续发展目标 (SDG) 做出贡献,从而为所有人带来更美好、更可持续的未来。随之开发出这款SG7050VEN晶振,编码X1G005331000200,频率125.000000兆赫,输出WaveLVDS,电源电压3.13 ~ 3.46 V,尺寸(LxWxH)7.00 x 5.00 x 1.70 mm,操作温度-40至+85°C,频率公差±25ppm,额外的OptionsN /OSC TypeClock OSC,具有一定的稳定性能,高质量,低电压的特点,常常应用于汽车充电桩,北斗定位,罗拉模块,仪器设备,航空电子等领域,也是汽车充电桩最为理想的选择。


汽车充电桩专用LVDS差分晶振X1G005331000200,我们的活动、产品和服务首先要遵守和符合有关环境的法律和其他环境要求.努力探索生产中所使用的有毒有害物质的替代,本着污染预防的思想,使我们的有源晶振,压控振荡器, 晶振,石英晶振更趋于绿色,提高本公司的社会形象.
Product Number Model Frequency LxWxH Output Wave Supply Voltage Ope Temperature Freq. Tol.
X1G005581012700 SG-8018CB 6.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005581012800 SG-8018CB 7.175000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005581012900 SG-8018CB 6.870000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005581013000 SG-8018CB 6.144000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005581013100 SG-8018CB 3.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005581013200 SG-8018CB 9.216000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
X1G005581013300 SG-8018CB 52.428800 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm
Product Number Model Frequency LxWxH Output Wave Supply Voltage Ope Temperature Freq. Tol.
X1G005551000100 SG7050EEN 212.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LV-PECL 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G005551000200 SG7050EEN 312.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LV-PECL 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G005561000200 SG7050VEN 312.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G005561000300 SG7050VEN 250.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
Product Number00 Model Frequency LxWxH Output Wave Supply Voltage Ope Temperature Freq. Tol.
X1G005331000100 SG7050VEN 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C +/-25 ppm
X1G005331000200 SG7050VEN 125.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C +/-25 ppm
X1G005331000300 SG7050VEN 156.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS差分晶振 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C +/-25 ppm
X1G005331000500 SG7050VEN 156.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G005331000600 SG7050VEN 27.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C +/-25 ppm
X1G005331000700 SG7050VEN 50.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G005331000800 SG7050VEN 50.001000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C +/-25 ppm
X1G005331000900 SG7050VEN 156.254000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C +/-25 ppm
X1G005331001000 SG7050VEN 156.253906 MHz 7.00 x 5.00 x 1.70 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C +/-25 ppm
有源晶振通常都为四脚或四脚以上的脚位,内置起振芯片,是一个完整的振荡器,只要接通电源就可以起振,大类称之为主动元器件。无源晶体的脚位通常都是四脚以下包含四脚,它的工作原理即是在一个反相放大器的两端接入晶振,再有两个电容分别接到晶振的两端,每个电容的另一端再接地,这两个电容串联的容量值等于负载电容,请注意一般IC的引脚都有等效输入电容,这个不能忽略。
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