爱普生的SPXO晶体振荡器非常适合用于可穿戴设备X1G004801001800
来源:http://www.jinluodz.com 作者:xiue 2022年09月27
爱普生的SPXO晶体振荡器非常适合用于可穿戴设备X1G004801001800,爱普生公司在激烈的市场斗争中,始终坚守初心,一路上所遇到的困难无数之多,可谓披荆斩棘,只为了把最好的品质呈现给每一位用户,凭着个人的才智与努力,如今已取得相当了不起的成就,致力于为用户打造高性价的石英晶体振荡器,有源晶振等元器件,以此赢得用户的信赖,以及与用户建立起良好的合作关系。

爱普生公司利用自身的优势推出了SG2016CAN晶振,有源晶振编码X1G004801001800,频率20.000000兆赫,输出WaveCMOS,电源电压1.60 ~ 3.63 V,尺寸(LxWxH)2.00 x 1.60 x 0.70 mm,工作温度-40至+105°C,频率公差±50ppm,额外的OptionsN /OSC TypeClock OSC,爱普生的SGxxxxCAN和SG-210STF是带有CMOS输出的简单封装晶体振荡器(SPXO)系列。这些SPXO是物联网、可穿戴设备、医疗、工业自动化等各种应用的理想选择。这些SPXO具有低电流消耗,宽工作电压从1.6 V到3.63 V和宽工作范围,温度范围从-40°C到85°C,此外可操作高达105°C。这些SPXO有五种不同的包装尺寸,从2.0 × 1.6毫米到7.0 × 5.0毫米,可在标准针的。
爱普生的SPXO晶体振荡器非常适合用于可穿戴设备X1G004801001800,EPSON爱普生车规晶振在晶振界的市占率在2016-2018年连续三年位于晶振第一,占比均超过10%(这三年全球营收市占率分别为12.9%、11.7%、12.4%)。EPSON爱普生是目前全球最大的贴片石英晶振供应商,技术发展处于领先地位,产品覆盖石英材料、基座及精微化、高精度、高品质频率产品。

爱普生公司利用自身的优势推出了SG2016CAN晶振,有源晶振编码X1G004801001800,频率20.000000兆赫,输出WaveCMOS,电源电压1.60 ~ 3.63 V,尺寸(LxWxH)2.00 x 1.60 x 0.70 mm,工作温度-40至+105°C,频率公差±50ppm,额外的OptionsN /OSC TypeClock OSC,爱普生的SGxxxxCAN和SG-210STF是带有CMOS输出的简单封装晶体振荡器(SPXO)系列。这些SPXO是物联网、可穿戴设备、医疗、工业自动化等各种应用的理想选择。这些SPXO具有低电流消耗,宽工作电压从1.6 V到3.63 V和宽工作范围,温度范围从-40°C到85°C,此外可操作高达105°C。这些SPXO有五种不同的包装尺寸,从2.0 × 1.6毫米到7.0 × 5.0毫米,可在标准针的。
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X1G004801000200 | SG2016CAN | 24.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801000300 | SG2016CAN | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801000700 | SG2016CAN | 12.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801001200 | SG2016CAN | 25.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801001300 | SG2016CAN | 50.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801001400 | SG2016CAN | 16.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801001800 | SG2016CAN | 20.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801002000 | SG2016CAN | 48.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801002100 | SG2016CAN | 27.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801002400 | SG2016CAN | 25.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -20 to 70 °C | +/-25 ppm |
X1G004801002600 | SG2016CAN | 33.333300 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801002700 | SG2016CAN | 10.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801002800 | SG2016CAN | 50.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801002900 | SG2016CAN | 10.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801003000 | SG2016CAN | 4.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801003100 | SG2016CAN | 24.576000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801003500 | SG2016CAN | 25.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801003600 | SG2016CAN | 40.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801003900 | SG2016CAN | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801004000 | SG2016CAN | 24.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801004400 | SG2016CAN | 12.288000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
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