晶振系列
- 陶瓷雾化片 wuhuapian
- 陶瓷晶振 taocijingzhen
- 32.768K Clock crystal
- 贴片晶振 SMDcrystal
- 石英晶振 Quartz Crystal
- 声表面滤波器 Quartz Crystal
- 声表面谐振器 resonator
- 陶瓷滤波器 taocilvboqi
- KDS晶振 KDS CRYSTAL
- 精工晶振 SEIKO CRYSTAL
- 村田晶振 muRata CRYSTAL
- 西铁城晶振 CITIZEN CRYSTAL
- 爱普生晶振 EPSON CRYSTAL
- 微孔雾化片 微孔雾化片
- 台湾加高晶体 H.ELE
- 进口京瓷晶体 KYOCERA
- 日本NDK晶体 进口NDK晶体
- 日本大河晶体 RIVER
- 美国CTS晶体 CTS石英晶体
- 台湾希华晶体 台湾希华
- 台湾鸿星晶体 HOSONIC
- 台湾TXC晶体 TXC CRYSTAL
- 台湾泰艺晶体 TAITIEN CRYSTAL
- 台湾亚陶晶体 百利通亚陶
- 台湾NSK晶体 NSK CRYSTAL
- 玛居礼晶振 台湾玛居礼晶振
- 富士晶振 日本富士贴片晶振
- SHINSUNG晶振 韩国进口SHINSUNG晶振
- SMI晶振 日本SMI贴片晶振
- Lihom晶振 韩国Lihom晶振
- NAKA晶振 日本纳卡株式会社晶振
- AKER晶振 台湾安碁贴片晶振
- NKG晶振 NKG石英晶振
- NJR晶振 日本NJR晶振
- Sunny晶振 Sunny CRYSTAL
- Statek晶振 Statek贴片晶体
- Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL
- Jauch晶振 Jauch Crystal
- 日蚀晶振 Ecliptek Crystal
- IDT晶振 IDT进口晶振
- 格林雷晶振 Greenray恒温晶振
- 高利奇晶振 Golledge石英晶体振荡器
- 维管晶振 Vectron Crystal
- 拉隆晶振 Raltron CRYSTAL
- 瑞康晶振 Rakon石英晶体
- 康纳温菲尔德晶振 ConnorWinfield Crystal
- ECS晶振 ECS CRYSTAL
- Abracon晶振 Abracon 石英振荡器
- CTS晶振 西迪斯晶振
- SiTime晶振 SiTime可编码振荡器
- 微晶晶振 Microcrystal Crystal
- AEK晶振 AEK CRYSTAL
- AEL晶振 AEL CRYSTAL
- Cardinal晶振 Cardinal贴片晶体
- Crystek晶振 Crystek石英晶振
- Fox晶振 Fox有源晶振
- Frequency晶振 Frequency Crystal
- GEYER晶振 GEYER CRYSTAL
- KVG晶振 KVG石英晶体
- ILSI晶振 ILSI CRYSTAL
- Euroquartz晶振 Euroquartz crystal
- MMDCOMP晶振 MMDCOMP贴片晶振
- MtronPTI晶振 MtronPTI晶体谐振器
- QANTEK晶振 QANTEK石英晶振
- QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶体
- Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal
- Suntsu晶振 Suntsu石英贴片晶振
- Transko晶振 Transko crystal
- Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal
- Rubyquartz晶振 进口Rubyquartz CRYSTAL
- ACT晶振 ACT石英晶振
- Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL
- ITTI晶振 ITTI石英晶体谐振器
- MTI-milliren晶振 MTI Crystal
- PDI晶振 PDI CRYSTAL
- IQD晶振 IQD CRYSTAL
- Microchip晶振 Microchip crystal
- Silicon晶振 Silicon Crystal
- 安德森晶振 Anderson Crystal
- 富通晶振 Fortiming Crystal
- CORE晶振 CORE CRYSTAL
- NIPPON晶振 NIPPON石英晶体振荡器
- NIC晶振 NIC Crystal
- QVS晶振 QVS CRYSTAL
- Bomar晶振 Bomar Crystal
- Bliley晶振 Bliley Crystal
- GED晶振 GED CRYSTAL
- FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL
- Standard晶振 Standard Crystal
- Q-Tech晶振 美国Q-Tech晶振
- Wenzel晶振 Wenzel Crystal
- NEL晶振 美国NEL晶振
- EM晶振 EM CRYSTAL
- PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL
- FCD-Tech晶振 荷兰晶振FCD-Tech
- HEC晶振 HEC CRYSTAL
- FMI晶振 FMI CRYSTAL
- 麦克罗比特晶振 Macrobizes Crystal
- AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL
- ARGO晶振 ARGO晶振公司是专业提供和设计波段频率控制设备和微波无线通信零部件.我们还分销日本,欧洲和美国的一些知名品牌零部件.我们致力于发展与计算机,IT和无线通信公司无任何界限的信息时代.我们秉承经营者的踏实,诚恳的态度,互惠互利的精神,实现共赢的目标,以诚信为本,诚信为本,公平交易为宗旨,以诚信,勤勉,诚信,精神质量第一,客户满意的经营理念,将以优良的产品质量,优惠的价格,优质的服务与您建立长期稳定的合作关系,共创辉煌事业.
- SKYWORKS晶振
- Renesas瑞萨晶振
- 贴片石英晶振 SMD CRYSTAL
- 贴片陶瓷晶振 SMD 陶振
- 有源晶振 Oscillator
- 石英晶体振荡器 OSC石英晶体振荡器
- 压控晶振 VCXO进口晶振
- 压控温补晶振 VC-TCXO CRYSTAL
- 恒温晶振 OCXO有源晶振
- 差分晶振 差分石英晶体振荡器
- 数码产品
- 医疗产品
- 汽车产品
- 移动产品
- 智能家居
- 网络设备
- 规格型号:40659515
- 频率:2.500MHZ-60.000MHZ
- 尺寸:5.0*3.2*1.05mm 详细资料请查看PDF
- 产品描述:广泛应用于室外三鉴探测感应哭,单反照相机,智能手机,单机多用户,便捷式移动电源,无线模块等产品领域.
希华晶振,OSC73晶振,5032晶振,有源晶振
希华晶振,OSC73晶振,5032晶振,有源晶振
参数:频率范围2.500MHZ-60.000MHZ
电源电压: 3.3V
负载电容: 15PF
工作温度: -40℃~+85℃
保存温度: -40℃~+85℃
精度 ±10ppm,±15ppm
输出方式:CMOS输出
尺寸:小型重量轻5.0*3.2*1.05
应用:集成电路,程控交换系统,无线发射基站,全球GSP定位系统,多通道遥控器,家用医疗仪器等产品。
台湾希华敏锐地掌握电子产品轻薄短小化、快速光电宽频传输与高频通讯的发展主流,致力于开发小型化、高频与光电领域等产品,与日本同业并驾齐驱。且深耕微机电(MEMS)技术领域,加速导入SMD晶振量产,藉以扩大公司营收规模并且提升获利空间。
希华晶体科技股份有限公司,依据‘ISO 14001环境/OHSAS-18001安卫管理系统’要求制定本‘环境/安卫手册’,以界定本公司环境/安卫管理系统之范围,包括任何排除之细节及调整,并指引环境/安卫管理系统与各书面、办法书之对应关系,包含在环境/安卫管理系统内之流程顺序及交互作用的描述。
希华晶振,OSC73晶振,5032晶振,有源晶振,5032mm的金属外壳表面贴片型石英晶振,是在所有晶振体型中中等大小的一款石英晶体振荡器,2.500M-60.000M中频,可用于中高端的数码电子行业领域,也是市场上常用的一款晶振,OSC73晶振的优势在于它最低起振电压是1.8V便可驱动,在满足小型产品需求的同时也节省了电流。
大河晶振型号/输出类型 | OSC73晶振,压电石英晶体振荡器 |
晶振类型 | OSC振荡器 |
输出负载 | 15pF |
振荡模式 | 基本/第三泛音 |
电源电压 | 3.3V |
频率范围2 | 2.500MHZ-60.000MHZ |
频率稳定度 | ±10ppm,±15ppm |
工作温度 | - 40 ~ + 85℃ |
保存温度 | - 40 ~ + 85℃ |
电压卷(最大值)/ VOH(最小值) | 0.1 VDD / 0.9 VDD |
启动时间 | 5 ms Max. |
相位抖动(12千赫?20兆赫) | 1个PS最大。 |
老化率 | ±3 ppm /年最大。 |
抗冲击
晶体产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
辐射
暴露于辐射环境会导致石英晶体振荡器产品性能受到损害,因此应避免照射。
化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振产品所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用产品。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
输出波形与测试电路
1.时序表
2. 测试条件
(1) 电源电压
超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。
电源电压阻抗低于电阻 2Ω。
(2) 其他
输入电容低于 15 pF
5倍频率范围或更多测量频率。
铅探头应尽可能短。
测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。
(3) 其他
CL包含探头电容。
应使用带有小的内部阻抗的电表。
使用微型插槽,以观察波形。
(请勿使用该探头的长接地线。)
3. 测试电路
OSC73 :在频率电压控制功能时,进行连接
(1)CMOS 负载 型号: OSC73 |
(2) 抗低,电容负载 型号: OSC73 |
(3) TTL 负载 型号: OSC73 |
(4) LV-PECL 负载 型号: OSC73 |
(5)LV-PECL 负载 型号: OSC73 |
(6) LV-PECL 负载 型号: OSC73 |
(7) LVDS 负载 型号: OSC73 |
(8) HCSL 负载 型号: OSC73 |
深 圳 市 金 洛 电 子 有 限 公 司
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