晶振基本资料及PCB布局设计指导
来源:http://www.jinluodz.com 作者:金洛鑫电子 2019年08月20
我们都知道石英晶振大致可以分为两大类,分别是MHz和KHz,一般来说MHz频率范围比KHz要高,而且范围更广泛,KHz的范围虽然从32KHz~100KHz都有,但范围小不说,市场上和用户应用都是以32.768KHz这个频点为主.因此使用KHz和MHz时,PCB板的布局和设计也会稍稍的不同,二者之间的参数,电气特性,特征也会有一些差别.下面金洛鑫介绍一些晶振的基本资料,以及MHz和KHz的PCB板设计注意事项.
晶振利用振动压电材料的机械谐振来产生非常稳定的时钟信号.通常借助频率提供稳定的时钟信号或跟踪时间;因此,晶振广泛用于RF和数字电路.晶振可由不同供应商提供,形状和尺寸也不尽相同,在性能和规格方面有很大差异.为在温度、湿度、电源和工艺发生变化时使稳健的应用保持稳定,了解各个参数和贴片振荡器电路至关重要.所有物理对象都具有固有的振动频率,振动频率由其形状、大小、弹性和材料中的声速决定.压电材料在施加电场时会变形,在恢复到其原始形状时会产生电场.电子电路中最常用的压电材料是石英晶振,但也使用陶瓷谐振器—通常用于低成本或非时序关键型应用.32.768KHz晶振通常被切割成音叉形状,可以形成非常精确的频率.
巴克豪森稳定性准则是用于确定电子电路何时振荡的两个条件.其中规定,如果A是电路中放大元件的增益,β(jω)是反馈路径的传递函数,则电路将仅在符合以下条件的频率下维持稳态振荡:
环路增益的绝对值等于单位增益,即|βA|=1
环路的相移为0或2π的整数倍,即∠βA=2πn,n∈0、1、2、3...
第一条准则将确保恒定幅值信号.小于1的数会将信号衰减到0,大于1的数会将信号放大到无穷大.第二条准则将确保晶振稳定的频率.对于其他相移值,正弦波输出将因反馈环而被抵消.
Microchip AVR单片机中的32.768kHz振荡器如图1-3所示,它由反相放大器(内部)和晶振(外部)组成.大多数AVR单片机都具有内部容性负载(CL1和CL2),因此通常不需要外部电容.但在某些情况下,必须添加外部负载以满足晶振规范.某些AVR单片机可选择应使用CKOPT熔丝连接还是断开内部电容.反相放大器将提供一个π弧度(180度)相移,剩下的π弧度相移将由Quartz Crystal和容性负载(频率为32.768KHz)提供,得到的总相移为2π弧度.在起振期间,放大器输出将增大,直到建立环路增益为1的稳态振荡,即满足巴克豪森准则.此过程由AVR单片机振荡器电路自动控制.
电气模型
晶振的等效电路如图1-4所示.串联RLC网络称为动态臂,给出了晶振机械行为的电气描述,其中C1表示石英的弹性,L1表示振动质量,R1表示由于阻尼造成的损失.C0称为并联电容或静态电容,是晶振外壳和电极引起的电寄生电容的总和.如果使用电容表测量晶振电容,则只测量C0(C1无作用).
通过使用拉普拉斯变换,可以在该网络中找到两个谐振频率.串联谐振频率fs仅取决于C1和L1,并联或抗谐振频率fp则还取决于C0.电抗与频率特性如图1-5所示.
公式1-1.串联谐振频率
公式1-2.并联谐振频率
公式1-3.偏移的并联谐振频率
等效串联电阻
等效串联电阻(Equivalent Series Resistance,ESR)是机械损耗的电气表示,在串联谐振频率fs下,它等于电气模型中的R1.ESR是一个非常重要的参数,在晶振数据手册中提供.ESR通常取决于晶振的物理尺寸,小晶振(特别是小型SMD晶振)的损耗和ESR值通常高于大晶振.ESR值越高,反相放大器的负载就越高,而ESR过高可能会导致振荡器运行不稳定.无法实现单位增益,也无法满足巴克豪森准则.
Q因数和稳定性
晶振的频率稳定性通过Q因数来衡量.Q因数是存储在晶振中的能量与所有能量损耗之和的比值.通常,石英晶振的Q值范围为10,000至100,000,而LC振荡器的Q值可能为100.陶瓷谐振器的Q值低于石英晶振,对容性负载更敏感(牵引能力更高).
公式1-4.Q因数
以下几个因素会影响频率稳定性:由安装、冲击或振动应力引起的机械应力、电源变化、负载阻抗变化、温度变化、磁场变化、电场变化以及晶振老化都可能产生影响.晶振供应商通常会在其数据手册中列出这些参数.
起振时间
在起振期间,噪声将在反相放大器中放大.晶振将充当带通滤波器并且仅反馈将被放大的晶振谐振频率分量.在实现稳态振荡之前,晶振/反相放大器环路的环路增益大于1,信号幅值将增大.达到稳态时,环路增益将满足巴克豪森准则,环路增益为1,幅值恒定.
影响起振时间的因素:
•高ESR晶振的起振速度慢于低ESR晶振
高Q因数晶振的起振速度慢于低Q因数晶振
高负载电容会增加起振时间
振荡器放大器驱动能力(有关振荡器裕度的更多详细信息,请参见第3.2节负电阻测试和安全系数).此外,晶振频率也会影响起振时间(晶振频率越高,起振就越快),但对于32.768kHz晶振,此参数固定.
温度容差
典型的32.768K通常被切割成使标称频率集中于25°C.高于和低于25°C时,频率都将因抛物线特性而降低,如图1-7所示.频移由公式1-5得出,其中f0为T0时的目标频率(25°C时通常为32.768KHz),PPM为晶振数据手册提供的温度容差系数.
公式1-5.温度变化的影响
如果不谨慎考虑PCB布线和装配过程中使用的材料,即使是性能最佳的振荡器电路和高质量晶振也不会表现出良好性能.超低功耗32.768K石英振荡子的功耗通常远低于1μW,因此流入电路中的电流非常小.此外,晶振频率高度依赖于容性负载.为提高振荡器的稳健性,我们建议在PCB布线期间遵循以下准则:
•从XTAL1/TOSC1和XTAL2/TOSC2连接到晶振的信号线应尽可能短,以减小寄生电容并提高抗噪性和抗串扰性.应避免使用任何类型的插座.
•在晶振和信号线的周围放置地平面和保护环,对其进行屏蔽.
•避免在晶振线附近布数字线(特别是时钟线).对于多层PCB板,避免在晶振线下方布信号线.
•使用高质量PCB和焊接材料.
•灰尘和湿度会增加寄生电容并减弱信号隔离,因此建议使用保护涂层.
晶振利用振动压电材料的机械谐振来产生非常稳定的时钟信号.通常借助频率提供稳定的时钟信号或跟踪时间;因此,晶振广泛用于RF和数字电路.晶振可由不同供应商提供,形状和尺寸也不尽相同,在性能和规格方面有很大差异.为在温度、湿度、电源和工艺发生变化时使稳健的应用保持稳定,了解各个参数和贴片振荡器电路至关重要.所有物理对象都具有固有的振动频率,振动频率由其形状、大小、弹性和材料中的声速决定.压电材料在施加电场时会变形,在恢复到其原始形状时会产生电场.电子电路中最常用的压电材料是石英晶振,但也使用陶瓷谐振器—通常用于低成本或非时序关键型应用.32.768KHz晶振通常被切割成音叉形状,可以形成非常精确的频率.
图1-1.32.768kHz音叉晶振的形状
振荡器巴克豪森稳定性准则是用于确定电子电路何时振荡的两个条件.其中规定,如果A是电路中放大元件的增益,β(jω)是反馈路径的传递函数,则电路将仅在符合以下条件的频率下维持稳态振荡:
环路增益的绝对值等于单位增益,即|βA|=1
环路的相移为0或2π的整数倍,即∠βA=2πn,n∈0、1、2、3...
第一条准则将确保恒定幅值信号.小于1的数会将信号衰减到0,大于1的数会将信号放大到无穷大.第二条准则将确保晶振稳定的频率.对于其他相移值,正弦波输出将因反馈环而被抵消.
图1-2.反馈环
图1-3.AVR器件中的皮尔斯晶振电路(简化电路)
晶振的等效电路如图1-4所示.串联RLC网络称为动态臂,给出了晶振机械行为的电气描述,其中C1表示石英的弹性,L1表示振动质量,R1表示由于阻尼造成的损失.C0称为并联电容或静态电容,是晶振外壳和电极引起的电寄生电容的总和.如果使用电容表测量晶振电容,则只测量C0(C1无作用).
图1-4.晶振等效电路
公式1-1.串联谐振频率
公式1-2.并联谐振频率
图1-5.晶振电抗特性
低于30MHz的晶振可工作在串联和并联谐振频率之间的任何频率下,即,其在工作时处于感性状态.30MHz以上的高频贴片晶振通常工作在串联谐振频率或泛音频率下,泛音频率出现在基频的倍数处.向晶振添加容性负载CL将导致频率偏移公式1-3中的值.晶振频率可通过改变负载电容来调节,这称为频率牵引.公式1-3.偏移的并联谐振频率
等效串联电阻
等效串联电阻(Equivalent Series Resistance,ESR)是机械损耗的电气表示,在串联谐振频率fs下,它等于电气模型中的R1.ESR是一个非常重要的参数,在晶振数据手册中提供.ESR通常取决于晶振的物理尺寸,小晶振(特别是小型SMD晶振)的损耗和ESR值通常高于大晶振.ESR值越高,反相放大器的负载就越高,而ESR过高可能会导致振荡器运行不稳定.无法实现单位增益,也无法满足巴克豪森准则.
Q因数和稳定性
晶振的频率稳定性通过Q因数来衡量.Q因数是存储在晶振中的能量与所有能量损耗之和的比值.通常,石英晶振的Q值范围为10,000至100,000,而LC振荡器的Q值可能为100.陶瓷谐振器的Q值低于石英晶振,对容性负载更敏感(牵引能力更高).
公式1-4.Q因数
以下几个因素会影响频率稳定性:由安装、冲击或振动应力引起的机械应力、电源变化、负载阻抗变化、温度变化、磁场变化、电场变化以及晶振老化都可能产生影响.晶振供应商通常会在其数据手册中列出这些参数.
起振时间
在起振期间,噪声将在反相放大器中放大.晶振将充当带通滤波器并且仅反馈将被放大的晶振谐振频率分量.在实现稳态振荡之前,晶振/反相放大器环路的环路增益大于1,信号幅值将增大.达到稳态时,环路增益将满足巴克豪森准则,环路增益为1,幅值恒定.
影响起振时间的因素:
•高ESR晶振的起振速度慢于低ESR晶振
高Q因数晶振的起振速度慢于低Q因数晶振
高负载电容会增加起振时间
振荡器放大器驱动能力(有关振荡器裕度的更多详细信息,请参见第3.2节负电阻测试和安全系数).此外,晶振频率也会影响起振时间(晶振频率越高,起振就越快),但对于32.768kHz晶振,此参数固定.
图1-6.晶振的起振信号
典型的32.768K通常被切割成使标称频率集中于25°C.高于和低于25°C时,频率都将因抛物线特性而降低,如图1-7所示.频移由公式1-5得出,其中f0为T0时的目标频率(25°C时通常为32.768KHz),PPM为晶振数据手册提供的温度容差系数.
公式1-5.温度变化的影响
图1-7.典型温度与晶振频率特性
PCB布线和设计注意事项布线和设计注意事项如果不谨慎考虑PCB布线和装配过程中使用的材料,即使是性能最佳的振荡器电路和高质量晶振也不会表现出良好性能.超低功耗32.768K石英振荡子的功耗通常远低于1μW,因此流入电路中的电流非常小.此外,晶振频率高度依赖于容性负载.为提高振荡器的稳健性,我们建议在PCB布线期间遵循以下准则:
•从XTAL1/TOSC1和XTAL2/TOSC2连接到晶振的信号线应尽可能短,以减小寄生电容并提高抗噪性和抗串扰性.应避免使用任何类型的插座.
•在晶振和信号线的周围放置地平面和保护环,对其进行屏蔽.
•避免在晶振线附近布数字线(特别是时钟线).对于多层PCB板,避免在晶振线下方布信号线.
•使用高质量PCB和焊接材料.
•灰尘和湿度会增加寄生电容并减弱信号隔离,因此建议使用保护涂层.
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