华为手机专用SPXO有源晶振X1G005601024800
来源:http://www.jinluodz.com 作者:aiud 2022年09月26
华为手机专用SPXO有源晶振X1G005601024800,爱普生公司成立至今已有几十年的发展历程,一直以来以精益求精的精神,创造许多优质的晶振产品,并帮助广大用户解决在晶体行业所遇到的问题,以及提供完美的石英晶振解决方案,以获得用户的支持和信赖,作为一家不断成长的优秀企业,爱普生公司不断精进自身的技术,作为一个领导者,明白用户需求的重要性,同时也明白要将眼光放至更长远的未来,主动承担起社会责任。当今世界中,人类正面临着气候变化、新冠疫情等牵一发而动全身的全球危机,想要成为消费者心中不可或缺的企业,必然要在产品之外给予消费者更多社会价值。
爱普生非常高兴推出了SG-8018CG晶振,石英晶体振荡器编码X1G005601024800,频率64.000000兆赫,输出WaveCMOS,电源电压1.62 ~ 3.63 V,尺寸(LxWxH)2.50 x 2.00 x 0.80 mm,工作温度-40至+105°C,频率公差±50ppm,额外的OptionsN /OSC类型可编程时钟OSC,SG-8018系列是具有CMOS输出的可编程晶体振荡器系列。而这个系列提供了相同的频率和其他参数的简单可编程性比较早SG-8002/SG-8003系列,它们还具有更宽的工作温度范围,最高极限为105°C。除了2.5 × 2.0毫米的封装,这将使电子制造商节省电路板空间振荡器也将提供以下流行的包装尺寸:3.2 × 2.5 mm, 5.0 × 3.2 mm和7.0 × 5.0 mm。SG-8018系列的振荡器有大约66%的紧密频率公差和电流消耗比同类产品低50%,可广泛使用环境条件。这也将大大提高性能,降低功率要求,速度快开发周期和小批量生产。
华为手机专用SPXO有源晶振X1G005601024800,爱普生晶振以提供原子钟的精准振荡器知名业界。在电子部件幅员中,2008年石英振荡器(包括Cystral和OSC)的市场规模仅约为半导体(约2600亿美元)的2%(约50亿美元)不到,算是利基市场,也因此身为其间的指导厂商,EPSON(Epson Toyocom的营业额高达800亿日圆)最大的希望是要让石英部件产业更上一层楼.
爱普生非常高兴推出了SG-8018CG晶振,石英晶体振荡器编码X1G005601024800,频率64.000000兆赫,输出WaveCMOS,电源电压1.62 ~ 3.63 V,尺寸(LxWxH)2.50 x 2.00 x 0.80 mm,工作温度-40至+105°C,频率公差±50ppm,额外的OptionsN /OSC类型可编程时钟OSC,SG-8018系列是具有CMOS输出的可编程晶体振荡器系列。而这个系列提供了相同的频率和其他参数的简单可编程性比较早SG-8002/SG-8003系列,它们还具有更宽的工作温度范围,最高极限为105°C。除了2.5 × 2.0毫米的封装,这将使电子制造商节省电路板空间振荡器也将提供以下流行的包装尺寸:3.2 × 2.5 mm, 5.0 × 3.2 mm和7.0 × 5.0 mm。SG-8018系列的振荡器有大约66%的紧密频率公差和电流消耗比同类产品低50%,可广泛使用环境条件。这也将大大提高性能,降低功率要求,速度快开发周期和小批量生产。
爱普生晶振 | Model | Frequency | LxWxH | Output Wave | Supply Voltage | Ope Temperature | Freq. Tol. |
X1G005601024800 | SG-8018CG | 64.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601024900 | SG-8018CG | 3.579545 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601025000 | SG-8018CG | 66.380000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601025100 | SG-8018CG | 14.318000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601025200 | SG-8018CG | 13.330000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601025300 | SG-8018CG | 16.625000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601025400 | SG-8018CG | 99.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601025500 | SG-8018CG | 1.500000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601025600 | SG-8018CG | 19.200000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601026100 | SG-8018CG | 39.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601026200 | SG-8018CG | 68.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601026500 | SG-8018CG | 6.750000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601026800 | SG-8018CG | 24.545400 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601026900 | SG-8018CG | 49.090902 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601027000 | SG-8018CG | 33.300000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601027100 | SG-8018CG | 9.216000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601027200 | SG-8018CG | 41.666000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601027300 | SG-8018CG | 30.720000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601027400 | SG-8018CG | 41.666000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601027500 | SG-8018CG | 135.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601027600 | SG-8018CG | 33.177600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
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