移动通信的发展离不开温补晶振
来源:http://www.jinluodz.com 作者:jinluodz 2013年11月04
前言:我的生活中,从此多了一个你“手机”。
忆起初,初三那个夏天拥有第一部手机,显得格外的欣喜若狂。所有的中心工作都投入保护手机中,像是在保护一个弱不禁风的孩子,舍不得磕与碰。好像都是如此吧!在无尽的期盼中,终于获得朝思暮想物件时,开始总是格外的心疼,后来的后来就淡化了。然而随着高科技的不断发展,那些年被我们追求翻盖直板滑盖手机,现已经是3G智能机,它就如同一款便携式的小型计算机,通过3G等移动通讯网络实现无线网络连接后,可进行看电视、聊天、淘宝等等一系列活动,另人期待的是4G也在待续中。
话回35年前,谁也没想到几十年后的今天,每个人手上都拥有一部电话,如此方便的交流着,在也不用什么飞鸽传书,写信笺了。其实在获得如此方便的移动通信之时,已然历经了五个发展阶段,而现代移动通信技术的发展始于上个世纪20年代。是不是瞧见金洛电子小童说到这时,甚至激动吧!那么就让我们一起回顾移动通信网络技术的五个发展史吧!
第一阶段从上世纪20年代至40年代,为早期发展阶段,启动的是车载无线电话服务。第二阶段从上世纪40年代中期至60年代初期,人工交换台。第三阶段从上世纪60年代中期至70年代中期,移动电话系统。第四阶段从上世纪70年代中期至80年代中期,1G(第一代移动通讯技术)横空出世,这也是被世人称为移动通信最为蓬勃的时期。第五阶段从上世纪80年代中期开始,这是数码移动通信系统发展和成熟时期,该阶段可以再分为2G、2.5G、3G、4G等。
说道于此,其实移动通信的发展离不开这个小伙伴“温补晶振”。温补晶振就是温度补偿晶体振荡器(TCXO),是通过附加的温度补偿电路,使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。然而精度、低功耗和小型化,仍然是温补晶振的研究课题。在小型化与片式化方面,面临不少困难,其中主要的有两点:一是小型化会使石英晶体振子的频率可变幅度变小,温度补偿更加困难;二是片式封装后在其接作业中,由于焊接温度远高于温补晶振的最大允许温度,会使晶体振子的频率发生变化,若不采限局部散热降温措施,难以将温补晶振的频率变化量控制在±0.5×10-6以下。但是,温补晶振的技术水平的提高并没进入到极限,创新的内容和潜力仍较大。
后言:为了更好的让用户了解于温补晶振,特别将此列了张表格出来供参考。
忆起初,初三那个夏天拥有第一部手机,显得格外的欣喜若狂。所有的中心工作都投入保护手机中,像是在保护一个弱不禁风的孩子,舍不得磕与碰。好像都是如此吧!在无尽的期盼中,终于获得朝思暮想物件时,开始总是格外的心疼,后来的后来就淡化了。然而随着高科技的不断发展,那些年被我们追求翻盖直板滑盖手机,现已经是3G智能机,它就如同一款便携式的小型计算机,通过3G等移动通讯网络实现无线网络连接后,可进行看电视、聊天、淘宝等等一系列活动,另人期待的是4G也在待续中。
话回35年前,谁也没想到几十年后的今天,每个人手上都拥有一部电话,如此方便的交流着,在也不用什么飞鸽传书,写信笺了。其实在获得如此方便的移动通信之时,已然历经了五个发展阶段,而现代移动通信技术的发展始于上个世纪20年代。是不是瞧见金洛电子小童说到这时,甚至激动吧!那么就让我们一起回顾移动通信网络技术的五个发展史吧!
第一阶段从上世纪20年代至40年代,为早期发展阶段,启动的是车载无线电话服务。第二阶段从上世纪40年代中期至60年代初期,人工交换台。第三阶段从上世纪60年代中期至70年代中期,移动电话系统。第四阶段从上世纪70年代中期至80年代中期,1G(第一代移动通讯技术)横空出世,这也是被世人称为移动通信最为蓬勃的时期。第五阶段从上世纪80年代中期开始,这是数码移动通信系统发展和成熟时期,该阶段可以再分为2G、2.5G、3G、4G等。
说道于此,其实移动通信的发展离不开这个小伙伴“温补晶振”。温补晶振就是温度补偿晶体振荡器(TCXO),是通过附加的温度补偿电路,使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。然而精度、低功耗和小型化,仍然是温补晶振的研究课题。在小型化与片式化方面,面临不少困难,其中主要的有两点:一是小型化会使石英晶体振子的频率可变幅度变小,温度补偿更加困难;二是片式封装后在其接作业中,由于焊接温度远高于温补晶振的最大允许温度,会使晶体振子的频率发生变化,若不采限局部散热降温措施,难以将温补晶振的频率变化量控制在±0.5×10-6以下。但是,温补晶振的技术水平的提高并没进入到极限,创新的内容和潜力仍较大。
后言:为了更好的让用户了解于温补晶振,特别将此列了张表格出来供参考。
温补晶振主要技术指标 | |
频率范围 | 1.00-80.00MHz |
频率准确度 | A. ≤±1.0ppm @25℃ |
B. ≤±0.5ppm @25℃ | |
频率调整 | 1.Ageing adjustment: ≥ ±5ppm |
2.No frequency adjustment | |
工作温度范围 | C. -20-+70℃ |
D. -40-+85℃ | |
E. -55-+105℃ | |
温度频率稳定度 | F. ±0.28ppm |
G. ±0.5ppm | |
H. ±1.0ppm | |
I. ±1.5ppm | |
J. ±2.0ppm | |
K. ±2.5ppm | |
输出波形 | 1. Sine 正弦波 |
2. Hcmos 方波 | |
3. Clipped Sine 削峰正弦波 | |
工作电压范围 | L 3.3V±10% |
M 5.0V±10% | |
频率老化率 |
±1ppm最大的第一年, ±3ppm最大为10年 |
储存温度 | -55°C~+125°C |
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