Pletronics是一家以服务为导向、垂直整合的高混合频率控制和RF产品解决方案供应商。我们投资了石英晶振晶体技术，为需要频率控制设备的客户提供最新的大批量产品。我们成立了合资企业和子公司，以提供最高频率、最高质量的零件。Pletronics，Inc .致力于通过提高产量、降低成本、提高客户满意度以及满足员工对培训、安全和士气的期望来不断提高质量。
1，介绍

基于石英的器件，主要是体声波（BAW）器件，长期以来一直是比较所有商用时钟源的标准。石英晶体作为用于频率控制的非常稳定、高质量谐振器的历史已被充分记录并得到普遍认可。基于石英的频率控制设备的频率与温度响应、老化、抖动和相位噪声特性在行业中都有很好的记录。然而，一直缺乏这种特性与利用新技术的频率控制装置的简明技术比较。为了在MEMS和其他器件与已建立的石英基器件之间建立一个基准，该分析的作者于2007年开始了一项研究，并于2008年发表了《频率控制器件的比较分析》。这项比较研究是对早期基准分析的更新和扩展。
2，研究的装置和方法
本研究在相同的测试条件下对以下装置应用了标准测量技术，以便对性能和能力进行直接比较：

I MEMS I振荡器（制造商A）

II MEMS II振荡器（制造商B）

III 以石英晶体为谐振器的可编程M/N倍频振荡器（制造商C）

IV 无石英振荡器-无任何外部谐振器的温度补偿L/C振荡器（由Pletronics，股份有限公司制造，QF55系列）

V 传统石英（体声波）时钟振荡器（由Pletronics，股份有限公司制造的SM55系列）

所研究的所有设备都是从国家电子元件分销商处购买的，并且很容易在商业上获得。
本文给出的结果基于已建立的频率控制测量技术，该技术采用了2012年研究设备时可商购的当前测试技术。除非另有说明，所有试验均在相同条件下进行。

Pletronics新型频率控制技术
2，OCXO技术
Ovenized Crystal Oscillator（OCXO）恒温晶振，通常用于高精度频率应用。这种方法将晶体和相关的振荡器电路加热到晶体的上转折点。图2显示了OCXO应用程序中使用的上部转折点的一部分。

这些振荡器的晶体是这样制造的，即上转折点高于规定的最高温度范围。晶体和相关电路被加热到并保持晶体上该点附近的狭窄温度窗口，并且器件被调谐到该温度下的频率。

温度稳定的环境具有一些固有的优点。这种方法极大地减少了先前所讨论的温度系数效应。
图#3显示了当EFC与TCXO类似地变化+/-4 ppm和+/-8 ppm时OCXO石英晶体振荡器的频率-温度特性。数据显示，与50-100ppb的TCXO相比，OCXO与控制电压变化相关的稳定性在5-10ppb的范围内。

Pletronics新型频率控制技术
OCXO还有一个额外的优点，即在非常窄的温度窗口（通常为几度或更低）上锻炼晶体。这大大减少了激发晶体中不需要的模式的机会。这种方法的最大缺点是设备的尺寸和功率要求。随着技术的进步，这些设备的尺寸和功率要求都在不断降低。
本申请说明中提供的数据取自商用现成产品。供应商之间的确切数字会有所不同，但总体趋势和大致幅度应该相似。在选择合适的设备之前，需要审查的关键问题是频率稳定性的变化，以及校准和长期稳定性（老化）所需的调整。OCXO对这些效应的敏感性只有TCXO温补晶振的四分之一。在考虑产品的使用寿命时，应考虑到这一点。
下表概述了OCXO和TCXO产品之间需要考虑的差异。一般来说，当尺寸和功率对应用至关重要时，首选TCXO。这些往往是手持或电池操作的设备。就频率稳定性而言，OCXO是一种更稳健的产品。这种类型的产品往往更适合通信/网络应用。表A应该有助于指导设计者为应用程序选择最合适的技术。

Description
UCG4 TCXO or VCTCXO 2 x 1.6mm 4 pad Clipped Sine Output Hermetically sealed package	Clipped Sine	10 to 40MHz	1.8V - 3.3V	2.0x1.6
UCG6 TCXO or VCTCXO 2 x 1.6mm 6 pad Clipped Sine Output Hermetically sealed package	Clipped Sine	10 to 40MHz	1.8V - 3.3V	2.0x1.6
UCF4 TCXO or VCTCXO 2.5 x 2.0mm Clipped Sine Output Hermetically sealed package	Clipped Sine	10 to 40MHz	1.8V - 3.3V	2.5x2.0
UHF4 TCXO 2.5 x 2.0mm CMOS Output Hermetically sealed package	CMOS	9.5 to 40MHz	1.8V - 3.3V	2.5x2.0
UCE4 TCXO or VCTCXO 3.2 x 2.5mm Clipped Sine Output Hermetically sealed package	Clipped Sine	10 to 40MHz	1.8V - 3.3V	3.2x2.5
UHE4 TCXO 3.2 x 2.5mm CMOS Output Hermetically sealed package	CMOS	9.5 to 40MHz	1.8V - 3.3V	3.2x2.5
UCD4 TCXO or VCTCXO Designed to meet various application needs See datasheet for available specifications and frequencies	Clipped Sine	10 to 40MHz	2.5V - 3.3V	5x3.2
UHD4 TCXO or VCTCXO Designed to meet various application needs See datasheet for available specifications and frequencies	CMOS	10 to 40MHz	2.5V - 3.3V	5x3.2

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