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晶振系列

首页进口晶振VCXO晶振,VG-4231CA振荡器,进口有源晶振

    VCXO晶振,VG-4231CA振荡器,进口有源晶振

  • 规格型号:59272035
  • 频率:1MHz~80MHz
  • 尺寸:5.0x7.0x1.4mm详情请参考PDF资料
  • PDF
  • 产品描述:VCXO晶振,VG-4231CA振荡器,进口有源晶振,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高...
 
    VCXO晶振,VG-4231CA振荡器,进口有源晶振,小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

项目 符号 VG-4231CA VG-4232CA 条件
输出频率范围 f0 1.000MHz to 60.000MHz 60.001MHz to 80.000MHz 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。
电源电压 VCC H:5.0V ±0.5V, 
C:3.3V ±0.3V
C:3.3V ±0.165V  
压控电压 VC H:2.5V ±2.0V, 
C:1.65V ±1.5V
1.65V ±1.65V  
储存温度 T_stg -40°C to +125°C -55°C to +125°C 裸存
工作温度 T_use 如下表所示  
频率稳定度 f_tol 如下表所示 VC=2.5V(**H),VC=1.65V(**C)
功耗 ICC H:20mA Max. ,
C: 10mA Max.
35mA Max. 无负载条件
输出禁用电流 I_dis H:15mA Max. ,
C: 7mA Max.
25mA Max. OE=GND
频率控制范围 F_cont R:±130 × 10-6 -  
绝对频率
控制范围 *1
APR D:±80 × 10-6 Min., 
G:±65 × 10-6 Min.
±50 × 10-6 Min.  
调制特性 BW 15kHz Min. 5kHz Min. ±3dB(at 1kHz)
输入电阻 Rin 50kΩ Min. 80kΩ Min. F或T类型 DC极
H:- , C:10MΩ Min. - M或Z类型
频率变化极 - 正极  
占空比 SYM 40% to 60% 45% to 55% CMOS负载:50% VCC
输出电压 VOH VCC-0.4V Min. 90% VCC Min. IOH=-4mA(**H)
IOH=-0.8mA(**C)
0.4V Max. 10%VCC Max. IOL=4mA(**H )
,IOL=3.2mA(**C)
输出负载条件
(CMOS)
L_CMOS 15pF Max. CMOS负载
输入电压 VIH 70% VCC Min. OE 终端
VIL 30% VCC Max.
上升/下降时间 tr / tf 4ns Max. 5ns Max. CMOS负载:
20% VCC to 80% VCC
振荡启动时间 t_str 10ms Max. 在90% VCC 时,所需时间为0秒
频率老化 f_aging ±10 × 10-6 Max. *2 频率稳定度包含 +25°C,10年


   晶振是一种易碎元器件,1,对于晶振的保存方式,首先要考虑其周围的潮湿度,做好防挤压措施,放在干燥通风的地方,使其晶体避免受潮导致其他电气参数发生变化.2,其次对于易碎的晶振器件要做好防震措施,不宜放在较高的货架上,在使用的过程,也不宜使晶振跌落,一般来说,从高空跌落的晶振不应再次使用.3,在晶振焊锡过程中,其焊锡的温度不宜过高,焊锡时间也不宜过长,防止晶体因此发生内变,而产生不稳定.4,晶振外壳需要接地时,应该确保外壳和引脚不被意外连通而导致短路.从而导致晶体不起振,5,保证两条引脚的焊锡点不相连,否则也会导致晶体停振,6,对于需要剪脚的晶振,应该注意机械应力的影响。7,焊锡之后,要进行清洗,以免绝缘电阻不符合要求

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