Transko特兰斯科推出了结合MEMS技术的TMM振荡器
来源:http://www.jinluodz.com 作者:金洛鑫电子 2025年08月25
Transko特兰斯科推出了结合MEMS技术的TMM振荡器
MEMS技术的原理与魅力,MEMS振荡器技术,全称为微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystems)技术,它的出现,彻底改变了我们对微小世界的认知.MEMS技术基于微型化的传感器和执行器,通过精密的机械结构实现对物理信号的感知和控制.这些设备能够检测从压力,温度到加速度等各种物理参数,然后将这些信息转换成电信号进行处理.?
想象一下,一个微小的设备,尺寸仅为几微米到几毫米,却能像一个精密的实验室一样,对周围的环境进行精准的监测和反馈.这就是MEMS技术的魅力所在,它让我们在微小的尺寸上实现了复杂的功能,为电子设备的小型化,智能化提供了可能.
MEMS技术可以分为几个主要类别,每一类都在不同的领域发挥着重要作用.
首先是传感器,用于检测环境变量,如加速度计,压力传感器,温度传感器等.加速度计在我们的智能手机中就有着广泛的应用,它能感知手机的运动状态,实现屏幕自动旋转,计步等功能,压力传感器则常用于汽车轮胎压力监测系统,保障行车安全.?
其次是执行器,用于物理地作用于其环境,如微泵,微阀,微型机器人等.微泵可以精确控制液体的流动,在生物医疗领域,用于药物输送系统,实现精准给药,微阀则可控制气体或液体的流量,在工业自动化生产中发挥着关键作用.
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最后是微系统,它集成了传感器,执行器与电子元件,形成一个完整的微型系统,能够实现更复杂的功能,如在航空航天晶振领域的微型惯性导航系统,为飞行器提供精确的导航信息.
MEMS技术的工艺密码,MEMS技术的实现离不开一系列精密的制造工艺,这些工艺就像是一把把神奇的刻刀,塑造出MEMS器件的微小结构和功能.
光刻技术是MEMS制造中的核心工艺之一,它就像是在硅片或其他基底上进行一场微观绘画.光刻过程中,将一层光敏材料(光刻胶)涂覆在基底上,然后通过遮罩板暴露于特定波长的光下.未被光照到的部分将保持不变,而被光照到的部分在后续的显影过程中会被溶解,从而形成所需的图案.光刻的精度直接影响到MEMS设备的性能,随着技术的不断进步,如今的光刻技术已经能够实现纳米级别的精度,为制造更加精密的MEMS器件提供了可能.
蚀刻技术也是不可或缺的,它分为湿法蚀刻和干法蚀刻.湿法蚀刻使用化学溶液来移除材料层,成本较低,过程简单,但控制精度和侧壁垂直性较差,干法蚀刻则利用等离子体等技术,能够实现更精确的材料去除,特别是深反应离子刻蚀(DRIE),适用于制造具有高纵横比的微结构,能够实现非常垂直和平滑的侧壁,是制造微流体设备和三维微结构的理想选择.
薄膜沉积技术用于在基底上创建绝缘层,导电层或机械层,常用的沉积方法包括物理气相沉积(PVD),化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD).PVD适用于创建均匀而致密的金属膜,在制造微型电路的金属导线时,PVD可以确保导线的导电性和稳定性,CVD则适合生产高质量的半导体膜,对于制造MEMS传感器中的敏感元件至关重要,ALD能够实现原子级别的精确控制,在制造一些对精度要求极高的纳米级器件时发挥着关键作用.
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TMM振荡器的多样应用?
Transko差分钟振TMM振荡器凭借其出色的性能,在众多领域都有着广泛的应用,为这些领域带来了深刻的变革和巨大的价值.
在通信领域,TMM振荡器的高精度频率稳定性和低相位噪声特性使其成为5G通信基站,卫星通信,光纤通信等系统的理想选择.在5G通信中,高速率,低延迟的通信需求对时钟信号的精度和稳定性提出了极高的要求.TMM振荡器能够提供稳定的时钟信号,确保基站与终端设备之间的通信顺畅,提高数据传输的速度和可靠性.在卫星通信中,TMM振荡器的抗干扰能力和稳定性可以保证卫星在复杂的太空环境中准确地接收和发送信号,实现全球范围内的通信覆盖.
汽车行业也是TMM振荡器的重要应用领域之一.随着汽车智能化,电动化的发展,汽车电子系统对时钟信号的要求越来越高.TMM振荡器在汽车中的应用涵盖了发动机控制单元,自动驾驶辅助系统,车载娱乐系统等多个方面.在自动驾驶辅助系统中,TMM振荡器为传感器和处理器提供精确的时钟信号,确保系统能够准确地感知周围环境,做出及时的决策,保障行车安全.在车载娱乐系统中,TMM振荡器的稳定性能保证音频,视频信号的高质量播放,提升用户的驾乘体验.
在消费电子领域,TMM振荡器的小型化,低功耗和高性能特性使其成为智能手机,平板电脑,智能手表等设备的关键组件.在智能手机中,TMM振荡器不仅为处理器,通信模块等提供时钟信号,还在蓝牙,Wi-Fi等无线通信功能中发挥着重要作用.其小型化设计可以为手机节省更多的空间,低功耗特性则有助于延长手机的电池续航时间,高性能则保证了手机在运行各种应用程序时的流畅性和稳定性.在智能手表中,TMM振荡器的低功耗和高精度特性可以满足手表长时间佩戴和精确计时的需求,为用户提供更好的使用体验.
Transko特兰斯科推出了结合MEMS技术的TMM振荡器
OCETGCJTNF-48.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 48 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
OXETDCJANF-0.032768 | Taitien | OX | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
OCETDLJANF-25.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
TZKTADSANF-26.000000 | Taitien | TZ | TCXO | 26 MHz | Clipped Sine Wave | 1.8V | ±500ppb |
TXEABLSANF-24.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 24 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TXEABLSANF-26.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 26 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TXKTPCSANF-32.000000 | Taitien | TX | TCXO | 32 MHz | Clipped Sine Wave | 1.8V | ±1.5ppm |
TXEAADSANF-20.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 20 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TXETALSANF-10.000000 | Taitien | TX | TCXO | 10 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TYETBCSANF-32.000000 | Taitien | TY | TCXO | 32 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TYETBLSANF-40.000000 | Taitien | TY | TCXO | 40 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TYEAPLSANF-40.000000 | Taitien | TY | VCTCXO | 40 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1.5ppm |
TYETACSANF-26.000000 | Taitien | TY | TCXO | 26 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TYEAACSANF-38.400000 | Taitien | TY | VCTCXO | 38.4 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
VLCUWCWTNF-100.000000 | Taitien | VLCU | VCXO | 100 MHz | Sine Wave | 5V | ±35ppm |
TSEAALJANF-10.000000 | Taitien | TS | VCTCXO | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±500ppb |
TWETALJANF-40.000000 | Taitien | TW | TCXO | 40 MHz | CMOS | 3.3V | ±500ppb |
TWEAKLJANF-20.000000 | Taitien | TW | VCTCXO | 20 MHz | CMOS | 3.3V | ±280ppb |
TTETKLJANF-10.000000 | Taitien | TT | TCXO | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±280ppb |
TTEAKLJANF-10.000000 | Taitien | TT | VCTCXO | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±280ppb |
TTETKLSANF-10.000000 | Taitien | TT | TCXO | 10 MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±280ppb |
TSEATLJANF-10.000000 | Taitien | TS | VCTCXO | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±4.6ppm |
TWETMCJANF-10.000000 | Taitien | TW | TCXO | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±100ppb |
TTEAALJANF-50.000000 | Taitien | TT | VCTCXO | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±500ppb |
NNENCLJNNF-10.000000 | Taitien | NN | OCXO | 10 MHz | CMOS | 3.3V | ±20ppb |
NI-10M-2400 | Taitien | NI-10M-2400 | OCXO | 10 MHz | LVTTL | 5V | ±3ppb |
NI-10M-2403 | Taitien | NI-10M-2400 | OCXO | 10 MHz | LVTTL | 5V | ±3ppb |
NI-10M-2503 | Taitien | NI-10M-2500 | OCXO | 10 MHz | Sine Wave | 5V | ±3ppb |
NI-100M-2900 | Taitien | NI-100M-2900 | OCXO | 100 MHz | Sine Wave | 12V | ±50ppb |
NA-100M-6822 | Taitien | NA-100M-6800 | OCXO | 100 MHz | Sine Wave | 12V | ±100ppb |
OCKTGLJANF-0.032768 | Taitien | OC | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
OCETGLJTNF-100.000000 | Taitien | OC | XO (Standard) | 100 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
TXETCLSANF-40.000000 | Taitien | TX | TCXO | 40 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2ppm |
TXETDDSANF-16.000000 | Taitien | TX | TCXO | 16 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2.5ppm |
TXETDCSANF-20.000000 | Taitien | TX | TCXO | 20 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2.5ppm |
TXETBLSANF-40.000000 | Taitien | TX | TCXO | 40 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TXEABDSANF-32.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 32 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TXETDDSANF-30.000000 | Taitien | TX | TCXO | 30 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2.5ppm |
TXETBLSANF-26.000000 | Taitien | TX | TCXO | 26 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TXEAPDSANF-19.200000 | Taitien | TX | VCTCXO | 19.2 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1.5ppm |
TXEAPLSANF-40.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 40 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1.5ppm |
TXEACDSANF-26.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 26 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2ppm |
TXEACDSANF-20.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 20 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2ppm |
TXETBLSANF-27.000000 | Taitien | TX | TCXO | 27 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TXETBLSANF-19.200000 | Taitien | TX | TCXO | 19.2 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TXETALSANF-26.000000 | Taitien | TX | TCXO | 26 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TXEAACSANF-40.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 40 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TXEAADSANF-25.000000 | Taitien | TX | VCTCXO | 25 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TYETBLSANF-38.400000 | Taitien | TY | TCXO | 38.4 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TYETBCSANF-50.000000 | Taitien | TY | TCXO | 50 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±1ppm |
TYETACSANF-32.000000 | Taitien | TY | TCXO | 32 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
TYETACSANF-20.000000 | Taitien | TY | TCXO | 20 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±500ppb |
PYEUCJJANF-100.000000 | Taitien | FASTXO | XO (Standard) | 100 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±20ppm |
TWEAALSANF-10.000000 | Taitien | TW | VCTCXO | 10 MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±500ppb |
TTETKLJANF-30.720000 | Taitien | TT | TCXO | 30.72 MHz | CMOS | 3.3V | ±280ppb |
TTEAMCSANF-10.000000 | Taitien | TT | VCTCXO | 10 MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±100ppb |
OYKTGLJANF-0.032768 | Taitien | OY | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
OYETDLJANF-25.000000 | Taitien | OY | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
TXETDDSANF-19.200000 | Taitien | TX | TCXO | 19.2 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2.5ppm |
TXETCLSANF-25.000000 | Taitien | TX | TCXO | 25 MHz | Clipped Sine Wave | 2.8V ~ 3.3V | ±2ppm |
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