SMD晶振热分析处理与无铅回流焊曲线图示例分析
　　大家都知道制造一颗完整的SMD晶振步骤和环节非常多,要使用很多种不同的工艺和技术,热分析和无铅回流焊接是其中比较重要的.对于无铅回流焊接相信大家比较了解,那什么是热分析呢?所谓的热分析是指测试产品与温度关系的一项高新技术,可以有效的防止因温度过高造成贴片晶振温漂,故障,不起振等问题,是三十多道工序里,较为着急的一道环节.以下就由金洛鑫电子,为大家详细的解说热分析和无铅回流焊接曲线图的具体内容和要素.
热分析:
　　在石英晶体振荡器上进行热测量.IC尺寸为0.050×0.050.
　　测量的是衬底的顶部,封装的底部和IC.结果如下
如下:
　　环境空气=24.2°C
　　封装温度=26.2°C
　　基板温度=26.7°C
　　芯片温度=27.2°C
　　功耗=76.6兆瓦
基于这些测量,计算出以下热阻:
　　包装到空气i=26.11°C/瓦
　　IC到基板的i=6.53°C/watt
　　封装至基板i=6.53°C/watt
　　IC至封装i=13.05°C/watt
　　IC对空气i=39.16°C/watt
　　空气被定义为自由的不受控制的空气.
SMD Crystal回流曲线:

无铅SMDXtal组装回流焊曲线

无铅装配回流曲线

图5-1分类回流曲线

分类回流配置文件表

特征	无铅组件
平均上升速率(TSmax至Tp)	最大3℃/秒.
预热
-最低温度(TSmin)	150℃
-最高温度(TSmax)	200℃
-时间(tSmin至tSmax) 以上维护的时间:	60-180秒
-温度(t1)
-时间(t1	217摄氏度
峰值/分类温度(Tp)	60-150秒
实际峰值温度(TP)5℃以内的时间	见表4.2
下降速率	20-40秒
达到峰值温度的时间为25℃	最大6℃/秒.

注1:所有温度均指包装顶部,在包装体表面测量.

4-2Pb无工艺——封装分类回流温度

包装	体积公厘(立方)	体积毫米(立方)	体积毫米(立方)
厚度	<350	350-2000	>2000
<1.6mm	260+0℃*	260+0℃*	260+0℃*
1.6mm-2.5mm	260+0℃*	250+0℃*	245+0℃*
≥2.5mm	250+0℃*	245+0℃*	245+0℃*

　　*公差:贴片晶振制造商/供应商应确保工艺兼容性达到并包括额定MSL水平的规定分类温度(这意味着峰值回流温度+0℃.例如260℃+0℃).
　　注1:轮廓公差为+0℃,-X℃(基于机器变化能力),无论控制轮廓工艺需要什么,但在任何时候都不会超过-5℃.生产商保证在表4.2中定义的回流轮廓峰值温度下的工艺兼容性.
　　注2:封装体积不包括外部端子(球、凸点、焊盘、引线)和/或非集成散热器.
　　注3:回流期间达到的最高石英晶振温度取决于封装厚度和体积.对流回流工艺的使用降低了封装之间的端子梯度.然而,由于贴片封装热质量的差异,热梯度可能仍然存在.
　　注4:应使用4.2和5.2中定义的无铅分类温度和剖面来评估无铅组装过程中使用的部件,无论是否无铅.
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