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人造水晶
关于人工晶体
人工晶体的历史
历史的人工晶体在意大利长大人工晶体的水热合成法,在1905年开始在乔治拉斯佩齐亚培训,研究开始于1953年在日本山梨大学。加入到改进的生长炉的高温和高压,所谓的高压釜中,训练技术得到改善,那么,人工晶体工业化单位7公斤生长炉产量开始于1959年。
然后,大批量生产的人工晶体的质量和天然水晶相同的水平可能技术的进步,促进将高压釜的尺寸增加,在1973年3 1米和一个全规模大规模生产的高压釜用体积比出现实现了。内部容积为4m 3高压釜超过,每单位生产量也有两吨(2000千克)或更多。
人工晶体的特点
一般性质 | |
---|---|
硬度 | 莫氏硬度7 |
比重 | 2.65×103千克/米3 |
折射率 |
(对于波长589.3nm) 和1.5443(普通射线) 1.5534(射线非凡) |
晶系 | 三方晶系 |
化学成分 | SIO2 |
介电常数 | 4.5 |
转变温度 | 573℃ |
可溶性 | 溶解在氟化合物 |
和人造水晶的发展
人工晶体的方法称为使用(晶体熔化许多高温度)的晶体在碱性溶液中的溶解度是不同的取决于温度,气氛的高温和高压力,在所谓的水热合成方法,以促进生长。
称为高压釜中的生长炉内压力容器,其中钠2 CO 3的晶体生长在超临界状态下,通过填充碱性的NaOH溶液,加热,等等。人工晶体的生长受原料被溶解在高温度和高压力移动从底部到顶部溶液对流和维持在高压釜的顶部较低的温度比底部,被沉积晶种。根据不同的应用,将大小调整的生长条件下,具有不同特性的形状和大小的晶种,人工晶体的取向将培训。人工晶体生长足够的管理下,具有均匀质量的形状和尺寸来控制。
晶种
籽晶的取向是由石英晶振制造的经济效果。从生长在晶种切割和R Z切块,与厚度切变振动,这是用于高频带的人工晶体,所制造的中间频带的振动换能器的轮廓。
已被用于X轴旋转系统的晶种的晶体振荡器使用低频带的弯曲振动和伸缩振动。
这也给了一个显着的晶体质量的影响可能是薄薄的一层称为生长的晶体的晶种的表面上形成由异物的种子面纱。
人工晶体质量评价
金额在人工晶体的杂质和缺陷,影响增长率,添加剂和原料。的生长速率的红外吸光系数,特别是:的人工晶体的频率温度特性(α,存在与Q值)的影响的重要特性。(Q值降低)和α提高生长速度快,我会引起的频率 - 温度特性的变化。
这是石英晶体振荡器的Q值,5泛音5MHz的振荡器晶体片,人工晶体质量指示符的早期,人工的Q值换能器及其制造保留的条款和条件的变化,由于不易受它被用来更准确地反映晶体本身的内部损耗。然而,晶体片直径较大的有必要在该方法中,它不能从Z区域振动器还。测量的Q值的Q值的估算通过测量红外吸收系数α由振动器的制造方法,采用目前需要很多时间和精力。具有这种方式的优点在于,可以很容易地测量,可??以检测到任何变化,由于小区域的生长是可能的。
这种晶体是适合使用的,如高品质的振荡器的高频带中人工晶体的估计Q值C级或以上,所以显示了等效的频率 - 温度特性和高品质的天然水晶。α是非常小的,从生产特定的具体的变化在相同的特定的条件下生长工序中提取样品进行评价时,选择晶体在特定的最大的Z尺寸管理你。究其原因,α成比例地增加,生长速率,最大结晶,因为示出(Q最低值)的最大α值,在同一批次中的Z尺寸。
标准规格
品种 | 产品名称 | 尺寸 |
的蚀刻 通道 密度品位 |
∂3585 最大值 |
异物密度 品位 |
取向 (θ) |
||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
X | ? | Ÿ | ||||||
±0.2 | ±0.2 | ±5 | ||||||
?板 | PB-18 | 9 | 18.0 | 200 | 一 | 0.050 | II? | 0°00' |
PB-19 | 9.5 | 19.0 | 200 | 一 | 0.050 | II? | 0°00' | |
PB-20 | 10.5 | 20.0 | 200 | 一 | 0.050 | II? | 0°00' | |
PB-23 | 23.5 | 18.0 | 185 | 一 | 0.050 | II? | 0°00' | |
PB-31 | 31.0 | 18.0 | 185 | 一 | 0.050 | II? | 0°00' | |
PB-38 | 65.0 | 38.0 | 185 | 一 | 0.050 | II? | 0°00' | |
PB-41 | 65.0 | 41.0 | 185 | 一 | 0.050 | II? | 0°00' | |
SB-02 | 53.0 | 46.??0 | 200 | 一 | 0.050 | II? | 0°00' | |
SB-03 | 76.0 | 65.0 | 220 | 一 | 0.069 | II? | 0°00' | |
SB-04 | 100.0 | 85.0 | 240 | 一 | 0.069 | II? | 0°00' |
粒径(μm)→ | 每个年级的异物密度 | |||
---|---|---|---|---|
级↓ | 10-30 | 30-70 | 70-100 | 100多名 |
我一个 | 二 | 一 | 0 | 0 |
I B | 三 | 二 | 一 | 一 |
我 | 六 | 四 | 二 | 二 |
二 | 九 | 五 | 四 | 三 |
三 | 十二 | 八 | 六 | 四 |
红外吸收系数α
红外吸收系数α级以下类别:JIS C 6704和IEC758。
级↓ | 每个年级的最大价值 | 估计Q值(参考号) |
---|---|---|
α3585 | (X104) | |
AA | 0.015 | 380 |
一 | 0.024 | 300 |
乙 | 0.050 | 240 |
Ç | 0.069 | 180 |
ð | 0.100 | 140 |
ê | 0.160 | 百 |
蚀刻通道密度
蚀刻通道密度,在下列几类:一个档次的JIS C 6704和IEC758。
级 | 通道数(书/厘米2) |
---|---|
1AA | 二 |
1A | 五 |
一 | 十 |
二 | 三十 |
三 | 百 |
四 | 300 |
本公司的种子质量可以保证蚀刻通道密度2级的所有品种。
此外,在支持1级也可以选择你的客户购买规格。
籽晶的取向,尺寸和位置
籽晶的取向为0°00'±15'。此外,大小的Z轴方向和1.5mm±0.5mm时,晶种包括在图中所示的阴影部分的面积。(如果它主要是在Z轴方向上的大小,宽度为3mm或更小)
兰伯特人工晶体标准 | |
角 | |
Z平面的X轴旋转角度: | 0°00'±30' |
Y轴旋转角度的X战警: | 0°00'±15' |
Z轴旋转角度的X战警: | 0°00'±15' |
尺寸公差为±0.1mm在X·Z轴方向 | |
12.5微米十点平均粗糙度表面粗糙度(#80钻石) |
人工晶体的典型
人工晶体SAW器件(4英寸)
表面声波元件是使用波沿表面振动能量集中在压电基片的表面上的。
小振荡器,滤波器人工晶体
它用于高可靠性小型晶体振荡器全密封的密封形式,和过滤器。
对于一般的使用人造水晶
它是用在汽车发动机控制处理器·数控机床和机器人互动电视,传真,等回家和国外,在其他领域。
小振荡器,滤波器珠宝玉石质量 | |
SAW器件珠宝玉石质量 | |
外国材料等级 | II或更高 |
红外吸收系数 | C或更高 |
蚀刻通道 | 30 /厘米2 |
空白标准规范
概述 | 的厚度 | 表面光洁度 | 主要面 | 取向平 | 轮廓 | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|
公差 ±0.05 |
公差 ±0.05 |
角度公差 |
尺寸 公差(H) |
角度公差 | 完 | ||
圆板 | Φ6.0 | 0.15至 | 我·II | ±15“ | ±0.2 | ±15' | #400 |
Φ8.0 | 0.15至 | 我·II | ±15“ | ±0.2 | ±15' | #400 | |
Φ8.7 | 0.20至 | 我·II | ±15“ | ±0.2 | ±15' | #400 | |
Φ79.0 | 0.50 | I·II·III | '±1' | ±0.5 | ±15' | #400 | |
Φ102.0 | 0.50 | I·II·III | '±1' | ±0.5 | ±15' | #400 | |
角 | 9×9 | 0.15至 | 我·II | ±15“ | - | - | 第240 |
10×10 | 0.15至 | 我·II | ±15“ | - | - | 第240 | |
12×12 | 0.15至 | 我·II | ±15“ | - | - | 第240 | |
80×80 | 0.50 | 我·II | '±1' | - | - | 第240 | |
102×102 | 0.50 | 我·II | '±1' | - | - | 第240 |
表面光洁度
(I):#1000(II):#2000(三):抛光
厚度频率也可以完成。
方向平面尺寸公差h的尺寸高度方向。
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