晶振系列
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陶瓷雾化片 wuhuapian -
陶瓷晶振 taocijingzhen -
32.768K Clock crystal -
贴片晶振 SMDcrystal -
石英晶振 Quartz Crystal -
声表面滤波器 Quartz Crystal -
声表面谐振器 resonator -
陶瓷滤波器 taocilvboqi -
KDS晶振 KDS CRYSTAL -
精工晶振 SEIKO CRYSTAL -
村田晶振 muRata CRYSTAL -
西铁城晶振 CITIZEN CRYSTAL -
爱普生晶振 EPSON CRYSTAL -
微孔雾化片 微孔雾化片 -
台湾加高晶体 H.ELE -
进口京瓷晶体 KYOCERA -
日本NDK晶体 进口NDK晶体 -
日本大河晶体 RIVER -
美国CTS晶体 CTS石英晶体 -
台湾希华晶体 台湾希华 -
台湾鸿星晶体 HOSONIC -
台湾TXC晶体 TXC CRYSTAL -
台湾泰艺晶体 TAITIEN CRYSTAL -
台湾亚陶晶体 百利通亚陶 -
台湾NSK晶体 NSK CRYSTAL -
玛居礼晶振 台湾玛居礼晶振 -
富士晶振 日本富士贴片晶振 -
SHINSUNG晶振 韩国进口SHINSUNG晶振 -
SMI晶振 日本SMI贴片晶振 -
Lihom晶振 韩国Lihom晶振 -
NAKA晶振 日本纳卡株式会社晶振 -
AKER晶振 台湾安碁贴片晶振 -
NKG晶振 NKG石英晶振 -
NJR晶振 日本NJR晶振 -
Sunny晶振 Sunny CRYSTAL -
Statek晶振 Statek贴片晶体 -
Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL -
Jauch晶振 Jauch Crystal -
日蚀晶振 Ecliptek Crystal -
IDT晶振 IDT进口晶振 -
格林雷晶振 Greenray恒温晶振 -
高利奇晶振 Golledge石英晶体振荡器 -
维管晶振 Vectron Crystal -
拉隆晶振 Raltron CRYSTAL -
瑞康晶振 Rakon石英晶体 -
康纳温菲尔德晶振 ConnorWinfield Crystal -
ECS晶振 ECS CRYSTAL -
Abracon晶振 Abracon 石英振荡器 -
CTS晶振 西迪斯晶振 -
SiTime晶振 SiTime可编码振荡器 -
微晶晶振 Microcrystal Crystal -
AEK晶振 AEK CRYSTAL -
AEL晶振 AEL CRYSTAL -
Cardinal晶振 Cardinal贴片晶体 -
Crystek晶振 Crystek石英晶振 -
Fox晶振 Fox有源晶振 -
Frequency晶振 Frequency Crystal -
GEYER晶振 GEYER CRYSTAL -
KVG晶振 KVG石英晶体 -
ILSI晶振 ILSI CRYSTAL -
Euroquartz晶振 Euroquartz crystal -
MMDCOMP晶振 MMDCOMP贴片晶振 -
MtronPTI晶振 MtronPTI晶体谐振器 -
QANTEK晶振 QANTEK石英晶振 -
QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶体 -
Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal -
Suntsu晶振 Suntsu石英贴片晶振 -
Transko晶振 Transko crystal -
Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal -
Rubyquartz晶振 进口Rubyquartz CRYSTAL -
ACT晶振 ACT石英晶振 -
Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL -
ITTI晶振 ITTI石英晶体谐振器 -
MTI-milliren晶振 MTI Crystal -
PDI晶振 PDI CRYSTAL -
IQD晶振 IQD CRYSTAL -
Microchip晶振 Microchip crystal -
Silicon晶振 Silicon Crystal -
安德森晶振 Anderson Crystal -
富通晶振 Fortiming Crystal -
CORE晶振 CORE CRYSTAL -
NIPPON晶振 NIPPON石英晶体振荡器 -
NIC晶振 NIC Crystal -
QVS晶振 QVS CRYSTAL -
Bomar晶振 Bomar Crystal -
Bliley晶振 Bliley Crystal -
GED晶振 GED CRYSTAL -
FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL -
Standard晶振 Standard Crystal -
Q-Tech晶振 美国Q-Tech晶振 -
Wenzel晶振 Wenzel Crystal -
NEL晶振 美国NEL晶振 -
EM晶振 EM CRYSTAL -
PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL -
FCD-Tech晶振 荷兰晶振FCD-Tech -
HEC晶振 HEC CRYSTAL -
FMI晶振 FMI CRYSTAL -
麦克罗比特晶振 Macrobizes Crystal -
AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL -
ARGO晶振 ARGO晶振公司是专业提供和设计波段频率控制设备和微波无线通信零部件.我们还分销日本,欧洲和美国的一些知名品牌零部件.我们致力于发展与计算机,IT和无线通信公司无任何界限的信息时代.我们秉承经营者的踏实,诚恳的态度,互惠互利的精神,实现共赢的目标,以诚信为本,诚信为本,公平交易为宗旨,以诚信,勤勉,诚信,精神质量第一,客户满意的经营理念,将以优良的产品质量,优惠的价格,优质的服务与您建立长期稳定的合作关系,共创辉煌事业.
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞萨晶振
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贴片石英晶振 SMD CRYSTAL -
贴片陶瓷晶振 SMD 陶振 -
有源晶振 Oscillator -
石英晶体振荡器 OSC石英晶体振荡器
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压控晶振 VCXO进口晶振
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压控温补晶振 VC-TCXO CRYSTAL
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恒温晶振 OCXO有源晶振
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差分晶振 差分石英晶体振荡器
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数码产品
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医疗产品
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汽车产品
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移动产品
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智能家居
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网络设备
- 规格型号：11577488
- 频率：9.840MHZ-50.000MHZ
- 尺寸：3.2*2.5*075mm 详细资料请查看PDF
- 产品描述：广泛应用于照相机,蓝牙耳机,音响,平板电脑,录像机,收录机,无线充电等小型化电子数码产品。
NDK晶振,贴片晶振,NX3225GA晶振,NDK石英谐振器
NDK晶振,NX3225GA晶振,3225晶振,NDK石英谐振器
参数:频率范围9.840MHZ-50.000MHZ
激励电平: 10μW (Max. 200μW )
负载电容: 8PF
工作温度: -40℃~+85℃
保存温度: -40℃~+85℃
精度 +/-20ppm
等效串联电阻：Refer to*1
尺寸：小型化薄款3.2*2.5*0.75
应用：汽车电子领域,无线电话，笔记本电脑，键盘鼠标，智能手机，卫星导航等产品。
日本于2015年6月制定了公司治理准则，由此我们NDK迎来了两位外部董事。加大强化相关经营监察机能、遵守法律，确保说明责任，迅速且适当地公布信息，履行环境保全等的社会责任，而从使我们能继续成为所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企业。
在ADAS（先进驾驶辅助系统）所使用的车载相机和倒车雷达、远程信息处理等用途，晶体元器件的需求也呈现增加的趋势。因此，我们会开发TCXO（温补振荡器）、ICXO(钟用晶体振荡器)、SAW器件等的车载用高信赖性产品并扩大其销售。
NDK晶振,NX3225GA晶振,3225晶振,NDK石英谐振器，从前面的料号可看出这是一款3.2*2.5*0.75mm体积非常小的石英贴片晶振，并且有着四个脚表面陶瓷封装的石英晶体，压电陶瓷的用料可有效的控制温度，在气温忽大忽小的时候能将温度控制在标准的精度之内，拥有优良的耐高温特性，所以NX3225GA晶振常常用于汽车电子开发领域，所以也叫汽车电子用晶振。
| NDK晶振型号 | NX3225GA晶振,进口贴片晶振 |
| 频率范围 | 9.840MHZ~50MHZ |
| 频率公差(25℃) | ±20 ppm的，可指定 |
| 频率稳定度超过工作温度范围 | ±30 ppm的，可指定 |
| 操作温度范围 | -40-+ 85℃，可指定 |
| 并联电容CO | 5pF Max. |
| 驱动电平 | 1-200μW（μW100典型） |
| 负载电容 | 8 pF,可指定 |
| 老化（25℃） | ±3 ppm /年最大。 |
| 存储温度范围 | -40-+85℃ |
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1.操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具，夹具直接接触石英晶振的表面。
2.使用环境（温度和湿度）
请在规定的温度范围内使用产品。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下，会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
3.激励功率
在石英晶体谐振器上施加过多驱动力，会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 （请参阅“激励功率”章节内容）。
4.负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻，否则振荡或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）。
5.负载电容
振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整，可能只会导致不正常的振荡。在使用之前，请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）。
1. 驱动能力
驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率，其计算公式如下：
驱动能力 (P) = i2.Re
其中i表示经过晶体单元的电流，
Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
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2. 振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。
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3. 负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。
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频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考
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